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FZT749TA 发布时间 时间:2025/6/24 12:23:09 查看 阅读:19

FZT749TA是一种NPN型硅晶体管,属于齐纳达林顿晶体管系列。它具有高增益和低饱和电压的特点,广泛应用于开关电路、线性稳压器以及各种需要高增益放大的场合。
  该晶体管采用TO-126封装形式,具有较高的电流处理能力和良好的热稳定性。由于其独特的内部结构设计,FZT749TA在电源管理、过流保护和负载驱动等应用中表现出色。

参数

集电极-发射极电压(Vceo):80V
  集电极最大电流(Ic):2A
  直流电流增益(hFE):5000
  功率耗散(Ptot):65W
  结温范围(Tj):-55℃ to +150℃
  存储温度范围(Tstg):-55℃ to +150℃
  封装形式:TO-126

特性

FZT749TA的主要特点是其极高增益性能,这使得它非常适合用作精密电流源或放大器中的关键组件。此外,它的低饱和电压允许更高效的开关操作,从而减少能量损耗。
  晶体管的齐纳达林顿结构进一步提高了其稳定性和可靠性,特别是在高温环境下的工作表现尤为突出。对于需要精确控制的应用场景,例如LED驱动、继电器驱动等,FZT749TA提供了卓越的性能与灵活性。
  其较高的集电极-发射极耐压值使其能够适应较宽范围的工作电压,而较大的电流承载能力则确保了其在重载条件下的稳定运行。

应用

FZT749TA晶体管适用于多种电子电路设计,包括但不限于以下领域:
  1. 开关电源中的驱动级元件;
  2. 线性稳压器中的调整管;
  3. 过流保护电路的核心部件;
  4. LED驱动电路中的电流控制元件;
  5. 继电器及电机驱动等负载驱动应用;
  6. 高精度电流源的设计实现;
  7. 各种工业自动化设备中的信号放大与传输部分。

替代型号

FZT750TA, FZT751TA

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FZT749TA参数

  • 标准包装1,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)3A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)25V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)600mV @ 300mA,3A
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)100 @ 1A,2V
  • 功率 - 最大2W
  • 频率 - 转换160MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-261-4,TO-261AA
  • 供应商设备封装SOT-223
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称FZT749TR