时间：2025/7/22 17:39:21
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FZT658TC 是一款由安森美半导体（onsemi）生产的N沟道增强型功率MOSFET，适用于各种高功率开关应用。该器件采用先进的工艺制造，具有低导通电阻、高效率和优异的热稳定性。其封装形式为TO-220，适合于需要高电流承载能力的电路设计中。FZT658TC 广泛应用于电源管理、电机控制、DC-DC转换器以及各种工业和汽车电子系统。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：100V
漏极电流（Id）：50A
导通电阻（Rds(on)）：约0.018Ω（典型值）
栅极电荷（Qg）：170nC
工作温度范围：-55°C至175°C
封装形式：TO-220
FZT658TC 具有极低的导通电阻，这有助于降低功率损耗并提高系统的整体效率。该器件的高电流承载能力使其适用于高功率密度的设计。此外，FZT658TC 还具有优异的热性能，能够在高温环境下稳定运行，适用于需要长时间高负载工作的应用场景。其栅极驱动设计优化，可减少开关损耗，提高系统的响应速度和稳定性。FZT658TC 的封装设计提供了良好的散热性能，确保器件在高功耗情况下仍能保持较低的工作温度，从而延长器件的使用寿命。
FZT658TC 还具备较高的耐用性和可靠性，能够承受较高的短时过载能力，适用于各种工业和汽车电子系统中的关键功率控制环节。该器件的制造工艺符合国际标准，保证了其在不同环境条件下的稳定性和一致性。
FZT658TC 主要用于高功率开关应用，如DC-DC转换器、电机驱动、电源管理系统、电池充电器和逆变器等。在工业自动化和电机控制领域，FZT658TC 能够提供高效的功率控制解决方案，提升系统的整体性能和可靠性。在汽车电子系统中，该器件可应用于车载电源管理、电动助力转向系统（EPS）以及其他高功率需求的模块。此外，FZT658TC 也广泛应用于太阳能逆变器、不间断电源（UPS）和储能系统等新能源相关设备中，满足对高效能功率开关的需求。
FDP6585, IRF1405, FDS6680, FZT658TA
