FZT658TC 是一款由安森美半导体(onsemi)生产的N沟道增强型功率MOSFET,适用于各种高功率开关应用。该器件采用先进的工艺制造,具有低导通电阻、高效率和优异的热稳定性。其封装形式为TO-220,适合于需要高电流承载能力的电路设计中。FZT658TC 广泛应用于电源管理、电机控制、DC-DC转换器以及各种工业和汽车电子系统。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(Vds):100V
漏极电流(Id):50A
导通电阻(Rds(on)):约0.018Ω(典型值)
栅极电荷(Qg):170nC
工作温度范围:-55°C至175°C
封装形式:TO-220
FZT658TC 具有极低的导通电阻,这有助于降低功率损耗并提高系统的整体效率。该器件的高电流承载能力使其适用于高功率密度的设计。此外,FZT658TC 还具有优异的热性能,能够在高温环境下稳定运行,适用于需要长时间高负载工作的应用场景。其栅极驱动设计优化,可减少开关损耗,提高系统的响应速度和稳定性。FZT658TC 的封装设计提供了良好的散热性能,确保器件在高功耗情况下仍能保持较低的工作温度,从而延长器件的使用寿命。
FZT658TC 还具备较高的耐用性和可靠性,能够承受较高的短时过载能力,适用于各种工业和汽车电子系统中的关键功率控制环节。该器件的制造工艺符合国际标准,保证了其在不同环境条件下的稳定性和一致性。
FZT658TC 主要用于高功率开关应用,如DC-DC转换器、电机驱动、电源管理系统、电池充电器和逆变器等。在工业自动化和电机控制领域,FZT658TC 能够提供高效的功率控制解决方案,提升系统的整体性能和可靠性。在汽车电子系统中,该器件可应用于车载电源管理、电动助力转向系统(EPS)以及其他高功率需求的模块。此外,FZT658TC 也广泛应用于太阳能逆变器、不间断电源(UPS)和储能系统等新能源相关设备中,满足对高效能功率开关的需求。
FDP6585, IRF1405, FDS6680, FZT658TA