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FZT658TA 发布时间 时间:2025/5/12 17:28:09 查看 阅读:7

FZT658TA是一种NPN型双极结型晶体管(BJT),主要用于高频放大和开关应用。该晶体管具有低噪声、高增益以及良好的线性度等特性,广泛应用于通信设备、无线模块及音频处理等领域。
  其封装形式为SOT-23,这种小型化表面贴装封装使其非常适合在空间受限的设计中使用。FZT658TA能够支持高达1GHz的工作频率,因此它在射频(RF)电路设计中也有广泛应用。

参数

集电极-发射极电压:40V
  集电极电流:200mA
  直流电流增益hFE:250-700
  过渡频率fT:1000MHz
  功耗:360mW
  工作温度范围:-55℃至150℃

特性

FZT658TA晶体管的显著特点在于它的高频性能与稳定性。由于其较高的过渡频率(fT),它能够在高频段表现出色,适用于各种射频信号处理任务。
  此外,这款晶体管的直流电流增益(hFE)范围较宽,这意味着它可以灵活地用于需要不同增益级别的电路设计。SOT-23封装不仅有助于提高散热性能,还允许自动化装配过程,从而降低生产成本。
  同时,FZT658TA具备较低的噪声系数,在音频放大器或接收机前端电路中提供清晰的声音质量或更高的信噪比表现。

应用

FZT658TA主要应用于以下领域:
  1. 高频射频放大器设计
  2. 射频开关模块
  3. 调制解调器及无线通信设备
  4. 音频前置放大器
  5. 工业控制中的高频信号处理
  6. 数据传输系统中的信号增强电路
  由于其紧凑的尺寸和出色的电气性能,FZT658TA成为现代电子设备中不可或缺的关键元件之一。

替代型号

FZT658TB, BC847C, MMBT3904LT1G

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FZT658TA参数

  • 标准包装1,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)500mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)400V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)500mV @ 10mA,100mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)40 @ 200mA,10V
  • 功率 - 最大2W
  • 频率 - 转换50MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-261-4,TO-261AA
  • 供应商设备封装SOT-223
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称FZT658TR