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FZT657TA 发布时间 时间:2025/8/2 8:38:42 查看 阅读:19

FZT657TA 是一款由ON Semiconductor(安森美半导体)制造的NPN双极性晶体管(BJT),常用于功率放大和开关应用。该晶体管具有较高的电流增益和较低的饱和电压,适用于需要高可靠性和性能的电子电路。

参数

晶体管类型:NPN
  最大集电极电流(Ic):100mA
  最大集电极-发射极电压(Vce):40V
  最大集电极-基极电压(Vcb):30V
  最大功耗(Pd):300mW
  电流增益(hFE):110-800(取决于测试条件)
  工作温度范围:-55°C至+150°C
  封装类型:TO-92

特性

FZT657TA具有优异的电流放大性能和低饱和电压,这使其在各种开关和放大电路中表现出色。该晶体管的hFE值范围广泛,允许在不同电路设计中灵活使用。此外,其低功耗设计和较高的最大工作温度范围确保了在各种环境下的稳定性和可靠性。
  FZT657TA的TO-92封装形式便于手工焊接和在PCB上的安装,广泛应用于原型设计和小功率电子设备中。该晶体管还具有良好的热稳定性和抗静电能力,使其在工业控制、消费电子和通信设备中具有广泛的应用前景。
  该晶体管的设计还确保了在高频操作下的稳定性,使其适用于需要快速开关的场合。同时,其较低的噪声系数也使其在音频放大应用中表现出色,能够提供清晰的音质。

应用

FZT657TA通常用于放大器电路、开关电路、逻辑电路、LED驱动电路以及各种低功率电子设备。它在工业自动化、消费电子、通信系统和汽车电子等领域中都有广泛应用。

替代型号

2N3904, BC547, PN2222

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FZT657TA参数

  • 标准包装1,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)500mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)300V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)500mV @ 10mA,100mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)50 @ 100mA,5V
  • 功率 - 最大2W
  • 频率 - 转换30MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-261-4,TO-261AA
  • 供应商设备封装SOT-223
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称FZT657TR