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FZT649TA 发布时间 时间:2025/5/23 3:19:29 查看 阅读:2

FZT649TA是一种NPN型的双极结型晶体管(BJT),主要用于开关和放大电路。它具有较高的电流增益和较低的饱和电压,适用于各种电子设备中的信号放大和开关控制功能。
  该晶体管采用TO-126封装形式,能够承受相对较高的功率和电流。其出色的电气性能使其在消费类电子产品、工业控制以及汽车电子等领域得到了广泛应用。

参数

集电极-发射极电压(Vce):80V
  集电极电流(Ic):3A
  直流电流增益(hFE):最小值50,最大值250
  功率耗散(Ptot):62.5W
  存储温度范围:-55℃至+150℃
  工作结温范围:-55℃至+150℃

特性

FZT649TA晶体管具备高增益、低饱和电压的特点,适合用于高频应用场合。
  其封装形式便于散热,可有效提升器件的稳定性与可靠性。
  此外,它还拥有较宽的工作温度范围,可以在恶劣环境下正常运行。
  该晶体管还具有良好的抗干扰能力,可以减少外界电磁环境对其性能的影响。
  由于其高电流承载能力和较大的功率耗散能力,因此非常适合于需要较高功率输出的应用场景。

应用

FZT649TA广泛应用于开关电源、电机驱动、音频功放等电路中作为功率放大或开关元件。
  在工业自动化领域,它可以用来实现对大功率负载的控制。
  同时,在家用电器如洗衣机、空调等设备中也常见到此型号的应用。
  此外,该晶体管还可用于汽车电子系统中的各类控制模块,例如雨刷器控制系统、电动车窗控制器等。

替代型号

FZT650TA, FZT651TA

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FZT649TA参数

  • 标准包装1,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)3A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)25V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)600mV @ 300mA,3A
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)100 @ 1A,2V
  • 功率 - 最大2W
  • 频率 - 转换240MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-261-4,TO-261AA
  • 供应商设备封装SOT-223
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称FZT649TR