FZ-3570UWWC2500A08 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要用于开关电源、电机驱动、逆变器以及其他需要高效电能转换的应用场景。该器件采用了先进的半导体制造工艺,具有低导通电阻、快速开关速度和高可靠性等特性。其封装形式和电气性能设计旨在满足现代电力电子设备对效率和紧凑性的需求。
该型号属于 N 沟道增强型 MOSFET,适用于高频应用环境,能够显著降低系统的功耗并提高整体效率。
最大漏源电压:250V
连续漏极电流:12A
导通电阻:0.012Ω
栅极电荷:45nC
开关时间:ton=20ns, toff=45ns
工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
FZ-3570UWWC2500A08 的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少传导损耗,提升系统效率。
2. 快速的开关速度,适合高频开关应用。
3. 高度优化的栅极电荷设计,降低了驱动功耗。
4. 强大的雪崩能力和鲁棒性,提高了器件在严苛条件下的可靠性。
5. 采用行业标准的封装形式,便于设计导入和散热管理。
6. 广泛的工作温度范围,确保在极端环境下的稳定运行。
该芯片广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
2. 电机驱动电路中的功率级控制。
3. 太阳能逆变器及储能系统的 DC/DC 和 DC/AC 转换模块。
4. 工业自动化设备中的负载切换与保护。
5. 电动车和混合动力汽车的动力总成控制单元。
6. 各种消费类电子产品中的电源管理模块。
FZ-3570UWWD2500A08, IRF250N, FDP15U25A