FZ-3570UNWC3000A08 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,采用先进的制造工艺和封装技术。该器件专为高效率、高功率密度的应用场景设计,具有低导通电阻和快速开关性能,能够有效降低功耗并提升系统整体效率。
这款芯片广泛应用于电源管理、电机驱动、逆变器以及 DC-DC 转换器等领域,特别适合对效率和热性能要求较高的场合。
型号:FZ-3570UNWC3000A08
类型:N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds):650V
最大栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):30A
导通电阻(Rds(on)):45mΩ(典型值,25℃)
总栅极电荷(Qg):150nC
开关速度:快速
工作温度范围:-55℃至+175℃
封装形式:TO-247
FZ-3570UNWC3000A08 的主要特性包括以下几点:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),在大电流应用中可显著减少传导损耗。
2. 快速开关能力,支持高频操作,适用于开关电源和其他高频电路。
3. 高雪崩能量承受能力,增强了器件在异常情况下的可靠性。
4. 热稳定性强,在极端温度条件下依然保持出色的性能。
5. 封装散热性能优越,有助于提高系统的功率密度。
6. 符合 RoHS 标准,环保且满足国际法规要求。
这些特性使 FZ-3570UNWC3000A08 成为需要高效率、高可靠性和高功率处理能力应用的理想选择。
FZ-3570UNWC3000A08 可应用于多个领域,包括但不限于以下方面:
1. 开关电源(SMPS):如 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
2. 电机驱动:用于工业控制、家用电器中的无刷直流电机驱动。
3. 太阳能逆变器:作为功率级器件实现高效的能量转换。
4. 电动车充电设备:支持快速充电功能。
5. UPS 不间断电源系统:提供稳定可靠的电力保障。
6. 各类工业自动化设备:例如伺服驱动器、PLC 控制单元等。
凭借其卓越的性能,FZ-3570UNWC3000A08 在众多高功率应用场景中表现出色。
FZ-3570UNWC3000A09
FZ-3570UNWC3000A10
IRFP460
STW45N65K5