FZ-1860UYD1000A08 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动等高效率电力转换场景。该芯片具有低导通电阻和快速开关速度的特点,能够有效降低功耗并提升系统效率。
该器件采用了先进的半导体制造工艺,在保证可靠性的前提下实现了更小的封装尺寸和更高的性能指标。
型号:FZ-1860UYD1000A08
类型:N-Channel MOSFET
VDS(漏源电压):60V
RDS(on)(导通电阻):10mΩ
ID(持续电流):90A
Qg(栅极电荷):50nC
fsw(工作频率):高达 1MHz
封装形式:TO-247
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
FZ-1860UYD1000A08 的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻 (RDS(on)),有助于减少导通损耗并提高整体效率。
2. 快速开关能力,支持高频应用场合,可显著减小磁性元件体积。
3. 高电流承载能力,适用于大功率输出设计。
4. 内置 ESD 保护功能,增强了器件在实际使用中的抗静电能力。
5. 热稳定性好,能够在高温环境下长期稳定运行。
6. 符合 RoHS 标准,环保无铅设计。
这款功率 MOSFET 广泛用于以下领域:
1. 开关电源 (SMPS) 和适配器设计。
2. DC-DC 转换器及降压/升压电路。
3. 工业用电机驱动和控制模块。
4. 新能源汽车的电池管理系统 (BMS) 和逆变器。
5. 大功率 LED 驱动电路。
6. 光伏逆变器和其他高效能源转换设备。
FZ-1860UYD1000A07, IRF1405Z, SiC447