FZ-1615SURSYGC20A06 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要用于开关电源、电机驱动和负载切换等应用。该器件采用先进的制造工艺,具备低导通电阻和快速开关特性,能够显著提高系统效率并降低功耗。
其封装形式为表面贴装类型,适合高密度组装需求,同时具有良好的散热性能,确保在高电流工作条件下的稳定性。
型号:FZ-1615SURSYGC20A06
类型:N-Channel MOSFET
漏源极击穿电压(Vds):60V
连续漏极电流(Id):30A
导通电阻(Rds(on)):4.5mΩ
栅极电荷(Qg):45nC
工作温度范围:-55°C to +175°C
封装:TO-263-3
FZ-1615SURSYGC20A06 的主要特点是低导通电阻,这有助于减少传导损耗并提高整体效率。此外,该芯片还具备出色的热稳定性和快速开关能力,可满足高频应用的需求。
该器件采用了先进的沟槽式结构设计,进一步降低了 Rds(on),并在动态性能方面表现出色。其较高的 Vds 和 Id 参数使其非常适合于需要大功率处理的应用场景。
另外,由于其紧凑的封装形式,可以有效节省 PCB 空间,同时保持优秀的散热表现,从而支持更高的功率密度。
这款 MOSFET 主要应用于开关电源(SMPS)中的同步整流器、DC-DC 转换器、电机驱动控制器以及负载切换电路等领域。
在通信设备中,它可以用作功率级元件来实现高效的能量转换;而在工业自动化领域,则适用于各种驱动和控制任务,例如伺服电机或步进电机的驱动。
此外,它也常被用于电动汽车充电桩、太阳能逆变器以及其他需要高性能功率管理的地方。
FZ1615SRSYGC20A06, IRF3205, AO3400