时间：2025/7/2 16:23:40
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FZ-1010SURSYGC05A04 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，专为高效率开关应用设计。该芯片采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于各种电力电子设备中的功率转换和电机驱动场景。
其封装形式经过优化，能够有效提升散热性能并支持高电流操作。此外，该器件具备出色的抗电磁干扰能力，确保在复杂电磁环境下的稳定运行。
型号：FZ-1010SURSYGC05A04
类型：N沟道功率MOSFET
工作电压：100V
连续漏极电流：30A
导通电阻：4mΩ（典型值）
栅极电荷：50nC（典型值）
开关时间：ton=15ns，toff=25ns
封装形式：TO-247-3L
工作温度范围：-55℃至+175℃
1. 极低的导通电阻使得功率损耗显著降低，从而提高整体系统效率。
2. 快速开关特性使其适用于高频开关电源和逆变器等应用。
3. 内置过温保护功能，可在异常条件下防止器件损坏。
4. 封装热性能优异，有助于长时间高负载运行时保持稳定。
5. 具备良好的雪崩能力和抗静电性能，增强了可靠性。
6. 符合RoHS标准，环保且适合现代绿色设计需求。
1. 开关模式电源（SMPS）中的主开关管。
2. 电机驱动电路中的功率级元件。
3. 逆变器和太阳能微逆变器的核心功率器件。
4. 工业自动化设备中的功率控制模块。
5. LED驱动器的大电流输出级。
6. 电动汽车充电桩的功率转换部分。
FZ-1010SURSYGC05A05, IRF840, STP100N10F7
