时间：2025/7/17 21:41:23
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FYP2010DNTU 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高效功率开关器件，专为高频、高效率和高功率密度应用而设计。该器件采用先进的封装技术，具备低导通电阻和快速开关速度的特性，适用于电源管理、DC-DC 转换器、无线充电及其它高频功率转换场景。
这款 GaN 功率晶体管具有增强型 ( normally-off ) 结构，确保其在安全性和可靠性方面符合工业标准，同时简化了系统设计并提升了整体性能。
最大漏源电压：200V
连续漏极电流：10A
导通电阻：8mΩ
栅极电荷：35nC
开关频率：高达 5MHz
工作温度范围：-40°C 至 +125°C
封装形式：DNTU
FYP2010DNTU 的核心优势在于其卓越的电气性能和热性能。通过使用氮化镓材料，该器件显著降低了导通损耗和开关损耗，从而提高了功率转换系统的效率。
此外，它还具备以下特点：
1. 极低的 Qg 和 Coss 值，有助于实现高频运行；
2. 高击穿电压和鲁棒性设计，适应苛刻的工作环境；
3. 小尺寸封装，便于集成到紧凑型设计中；
4. 具备过流保护功能，进一步增强了器件的可靠性。
FYP2010DNTU 广泛应用于需要高性能功率转换的领域，包括但不限于：
1. 开关电源 (SMPS)：
- PC 电源适配器
- 工业级 AC-DC 转换器
2. DC-DC 转换器：
- 电动汽车车载充电器
- 数据中心供电模块
3. 快速充电器：
- USB-PD 充电器
- 无线充电发射端
4. 激光雷达驱动和射频功率放大器等新兴技术领域。
EPC2010
GAN063-650WSA
