您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > FYP2010DNTU

FYP2010DNTU 发布时间 时间:2025/7/17 21:41:23 查看 阅读:13

FYP2010DNTU 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高效功率开关器件,专为高频、高效率和高功率密度应用而设计。该器件采用先进的封装技术,具备低导通电阻和快速开关速度的特性,适用于电源管理、DC-DC 转换器、无线充电及其它高频功率转换场景。
  这款 GaN 功率晶体管具有增强型 ( normally-off ) 结构,确保其在安全性和可靠性方面符合工业标准,同时简化了系统设计并提升了整体性能。

参数

最大漏源电压:200V
  连续漏极电流:10A
  导通电阻:8mΩ
  栅极电荷:35nC
  开关频率:高达 5MHz
  工作温度范围:-40°C 至 +125°C
  封装形式:DNTU

特性

FYP2010DNTU 的核心优势在于其卓越的电气性能和热性能。通过使用氮化镓材料,该器件显著降低了导通损耗和开关损耗,从而提高了功率转换系统的效率。
  此外,它还具备以下特点:
  1. 极低的 Qg 和 Coss 值,有助于实现高频运行;
  2. 高击穿电压和鲁棒性设计,适应苛刻的工作环境;
  3. 小尺寸封装,便于集成到紧凑型设计中;
  4. 具备过流保护功能,进一步增强了器件的可靠性。

应用

FYP2010DNTU 广泛应用于需要高性能功率转换的领域,包括但不限于:
  1. 开关电源 (SMPS):
   - PC 电源适配器
   - 工业级 AC-DC 转换器
  2. DC-DC 转换器:
   - 电动汽车车载充电器
   - 数据中心供电模块
  3. 快速充电器:
   - USB-PD 充电器
   - 无线充电发射端
  4. 激光雷达驱动和射频功率放大器等新兴技术领域。

替代型号

EPC2010
  GAN063-650WSA

FYP2010DNTU推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

FYP2010DNTU资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

FYP2010DNTU参数

  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭二极管,整流器 - 阵列
  • 系列-
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)770mV @ 10A
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电100µA @ 100V
  • 电流 - 平均整流 (Io)(每个二极管)20A
  • 电压 - (Vr)(最大)100V
  • 反向恢复时间(trr)-
  • 二极管类型肖特基
  • 速度快速恢复 = 200mA(Io)
  • 二极管配置1 对共阴极
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商设备封装TO-220
  • 包装管件