FW169-TL-E 时间：2025/9/21 2:59:46 阅读：9

FW169-TL-E是一款由Fortune Semiconductor（富鼎半导体）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的高压制程技术设计，适用于高效率电源转换应用。该器件广泛用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、LED驱动电源以及电机控制等场合。其封装形式为TO-252（DPAK），具备良好的散热性能和可靠性，适合中等功率等级的工业与消费类电子产品。FW169-TL-E在导通电阻、栅极电荷和击穿电压之间实现了优化平衡，有助于提升系统整体能效并降低热损耗。该MOSFET具有较低的导通电阻RDS(on)，可在高电流工作条件下减少功耗，提高电源系统的转换效率。此外，它具备优良的雪崩能量耐受能力和抗浪涌电流能力，增强了在恶劣工作环境下的稳定性与安全性。器件符合RoHS环保标准，无铅且不含卤素，满足现代绿色电子产品的设计要求。由于其高性能与高性价比，FW169-TL-E被广泛应用于各类电源适配器、充电器、光伏逆变器及照明电源中，是中低端市场中替代国际品牌同类产品的优选之一。

参数

型号：FW169-TL-E
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　封装：TO-252 (DPAK)
　　漏源电压(VDS)：600V
　　栅源电压(VGS)：±30V
　　连续漏极电流(ID)：11A @ 25℃
　　脉冲漏极电流(IDM)：44A
　　导通电阻(RDS(on))：0.16Ω @ VGS = 10V
　　导通电阻(RDS(on))：0.19Ω @ VGS = 4.5V
　　阈值电压(Vth)：2.0V ~ 4.0V
　　栅极电荷(Qg)：38nC @ VDS = 480V, ID = 7.5A
　　输入电容(Ciss)：1100pF @ VDS = 25V
　　输出电容(Coss)：340pF @ VDS = 25V
　　反向恢复时间(trr)：45ns
　　工作结温范围(Tj)：-55℃ ~ +150℃
　　热阻结到壳(RθJC)：1.2℃/W

特性

FW169-TL-E采用高压超结结构工艺制造，具备优异的电气性能和热稳定性。其600V的高击穿电压使其适用于AC-DC转换中的PFC电路和主开关管应用，在市电波动较大的环境中仍能保持稳定运行。
　　低导通电阻是该器件的核心优势之一，典型值仅为0.16Ω（在VGS=10V时），有效降低了导通状态下的功率损耗，减少了发热，从而提升了电源系统的整体效率，并可简化散热设计。即使在较低的驱动电压下（如4.5V），RDS(on)也能控制在0.19Ω以内，表现出良好的驱动兼容性，适用于多种控制器平台。
　　该MOSFET拥有较低的栅极电荷（Qg=38nC），有助于减小驱动电路的负担，降低开关过程中的能量损耗，尤其在高频开关应用中表现突出。同时，其输入电容和输出电容较小，有利于提高开关速度，减少延迟时间，进一步优化动态响应性能。
　　器件内置较强的雪崩耐量能力，能够承受一定的过压冲击而不损坏，增强了系统在异常工况下的鲁棒性。此外，反向恢复时间较短（trr=45ns），配合体二极管使用时可减少反向恢复带来的尖峰电压和电磁干扰问题。
　　TO-252封装形式不仅提供了良好的机械强度，还具备出色的散热性能，便于安装于PCB上并通过散热片进行额外冷却。这种表面贴装与通孔混合的封装方式兼顾了自动化生产需求和散热要求，广泛应用于中小功率电源模块中。
　　总体而言，FW169-TL-E在性能、成本与可靠性方面取得了良好平衡，是一款适用于多种电源拓扑结构（如Flyback、Boost、Half-Bridge等）的理想选择，尤其适合对性价比敏感的中端市场产品。