电容值：4.7μF
　　额定电压：50V
　　温度特性：X7R (-55°C ~ +125°C)
　　封装尺寸：1210 (3.2mm x 2.5mm)
　　公差：±10%
　　直流偏压特性：良好
　　工作温度范围：-55°C ~ +125°C
　　绝缘电阻：≥1000MΩ
　　ESR（等效串联电阻）：≤0.02Ω
　　ESL（等效串联电感）：≤1.5nH

FV56X473K102EFG 具备出色的温度稳定性，其 X7R 材料确保了在 -55°C 到 +125°C 的温度范围内电容量的变化不超过 ±15%。此外，该型号采用了先进的多层陶瓷工艺，提供更高的体积效率和更小的封装尺寸，适合用于空间受限的应用场景。
　　FV56X473K102EFG 还具备较低的 ESR 和 ESL，能够有效降低电路中的能量损耗，并提高高频性能。由于其良好的直流偏压特性，在实际使用中电容量下降幅度较小，非常适合用作滤波、耦合及旁路电容等功能。
　　该电容器支持无铅焊接工艺，符合 RoHS 标准，同时具备较高的抗机械应力能力，从而增强了产品的可靠性和使用寿命。

FV56X473K102EFG 主要应用于需要高稳定性和高可靠性的场景，包括但不限于以下领域：
　　1. 消费类电子产品：如智能手机、平板电脑、笔记本电脑等的电源管理模块。
　　2. 工业设备：如变频器、伺服控制器、PLC 等中的信号处理电路。
　　3. 通信设备：如基站、路由器、交换机中的滤波与去耦电路。
　　4. 汽车电子：如车载信息娱乐系统、ADAS（高级驾驶辅助系统）等的电源稳压电路。
　　5. 医疗设备：如监护仪、超声波设备中的信号调理电路。

FV56X473K102EFA
　　FV56X473K102EFB
　　FV56X473K102EFC