FV56N472J202EGG 是一款由 Fairchild(现为 ON Semiconductor)生产的 N 沟道功率 MOSFET 芯片。该芯片广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器以及其他需要高效能功率控制的场景中。其封装形式为 TO-263-3,适合表面贴装技术(SMT),能够有效降低系统热阻并提升散热性能。
该型号具有较低的导通电阻和较高的电流处理能力,能够在高频开关应用中提供优异的效率表现。
最大漏源电压:470V
连续漏极电流:11A
导通电阻(典型值):0.8Ω
栅极阈值电压:2.5V~4.5V
工作结温范围:-55℃~175℃
功耗:250W
封装形式:TO-263-3
FV56N472J202EGG 的主要特性包括:
1. 高耐压能力:其额定漏源电压高达 470V,非常适合高电压应用场景。
2. 低导通电阻:在典型条件下,导通电阻仅为 0.8Ω,可显著减少传导损耗。
3. 快速开关性能:该器件具备较低的栅极电荷和输出电荷,从而实现更快的开关速度。
4. 高温适应性:支持 -55℃ 至 +175℃ 的宽温度范围,适用于极端环境条件。
5. 热增强型封装:采用 TO-263-3 封装,优化了散热性能,提高了系统的可靠性和稳定性。
6. 反向恢复时间短:内置二极管具有快速反向恢复特性,有助于减少开关损耗。
FV56N472J202EGG 主要用于以下领域:
1. 开关模式电源(SMPS):
- 离线式 AC/DC 转换器
- DC/DC 转换器
2. 电机驱动:
- 家用电器中的无刷直流电机驱动
- 工业自动化设备中的电机控制
3. 逆变器:
- 太阳能逆变器
- 不间断电源(UPS)
4. 电动工具:
- 锂电池供电的电动工具驱动电路
5. 其他需要高效功率控制的应用场景。
FV56N472J202E6T, FVP09N65C, IRFP460