时间：2025/7/10 19:23:24
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FV56N102J302EFG 是一款高性能的 N 沮道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于各种开关和功率管理应用。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能。
该型号特别适合需要高效能和低功耗的应用场景，例如 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动和电源管理等。其封装形式为 TO-252 (DPAK)，能够提供良好的散热特性和电气性能。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：4.9A
导通电阻（典型值）：80mΩ
栅极电荷：7nC
开关时间（开启）：13ns
开关时间（关闭）：16ns
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
封装类型：TO-252 (DPAK)
FV56N102J302EFG 的主要特性包括低导通电阻，这有助于减少传导损耗并提高系统效率。此外，其快速的开关时间和低栅极电荷使其非常适合高频开关应用。
器件还具备出色的热稳定性和鲁棒性，能够在高温环境下长期运行。同时，该器件的反向恢复电荷较低，有助于降低开关噪声和电磁干扰。
此外，其紧凑的封装形式便于 PCB 布局设计，同时提供良好的电气连接和散热性能。
该 MOSFET 广泛应用于多个领域，包括但不限于以下方面：
1. 开关电源（SMPS）和 DC-DC 转换器中的功率开关。
2. 电池管理系统（BMS）中的负载开关和保护电路。
3. 工业自动化设备中的电机驱动和控制电路。
4. LED 驱动器中的电流调节和调光功能。
5. 各类消费电子产品的充电器和适配器设计。
FV56N102J302EFG 的高效能和可靠性使其成为众多功率转换和控制应用的理想选择。
FV56N102J302EFM, FDP56N102J302EFG
