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FV56N102J302EFG 发布时间 时间:2025/7/10 19:23:24 查看 阅读:13

FV56N102J302EFG 是一款高性能的 N 沮道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于各种开关和功率管理应用。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能。
  该型号特别适合需要高效能和低功耗的应用场景,例如 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动和电源管理等。其封装形式为 TO-252 (DPAK),能够提供良好的散热特性和电气性能。

参数

最大漏源电压:100V
  连续漏极电流:4.9A
  导通电阻(典型值):80mΩ
  栅极电荷:7nC
  开关时间(开启):13ns
  开关时间(关闭):16ns
  工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
  封装类型:TO-252 (DPAK)

特性

FV56N102J302EFG 的主要特性包括低导通电阻,这有助于减少传导损耗并提高系统效率。此外,其快速的开关时间和低栅极电荷使其非常适合高频开关应用。
  器件还具备出色的热稳定性和鲁棒性,能够在高温环境下长期运行。同时,该器件的反向恢复电荷较低,有助于降低开关噪声和电磁干扰。
  此外,其紧凑的封装形式便于 PCB 布局设计,同时提供良好的电气连接和散热性能。

应用

该 MOSFET 广泛应用于多个领域,包括但不限于以下方面:
  1. 开关电源(SMPS)和 DC-DC 转换器中的功率开关。
  2. 电池管理系统(BMS)中的负载开关和保护电路。
  3. 工业自动化设备中的电机驱动和控制电路。
  4. LED 驱动器中的电流调节和调光功能。
  5. 各类消费电子产品的充电器和适配器设计。
  FV56N102J302EFG 的高效能和可靠性使其成为众多功率转换和控制应用的理想选择。

替代型号

FV56N102J302EFM, FDP56N102J302EFG

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