时间：2025/6/16 19:50:52
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FV55X563K202EHG 是一款高性能的功率MOSFET芯片，采用先进的半导体制造工艺。该器件专为需要高效率和低导通电阻的应用而设计，能够提供卓越的开关性能和热稳定性。
此芯片通常应用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动器以及负载开关等场景，其出色的电气特性使其成为工业控制、消费电子及通信设备的理想选择。
型号：FV55X563K202EHG
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：18A
导通电阻(Rds(on))：2mΩ（典型值，@ Vgs=10V）
总功耗(Ptot)：74W
结温范围(Tj)：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-263(D2PAK)
FV55X563K202EHG 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻Rds(on)，有助于减少导通损耗并提升系统效率。
2. 高雪崩能量能力，可有效保护器件免受过压事件的影响。
3. 快速开关速度，降低开关损耗并适合高频应用。
4. 热稳定性优异，在高温环境下仍能保持可靠运行。
5. 小型化封装设计，便于PCB布局并节省空间。
这些特点使得该MOSFET在高功率密度和高效率要求的电路中表现出色。
FV55X563K202EHG 广泛应用于多种领域：
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
2. DC-DC转换器的核心元件，用于实现高效的电压转换。
3. 电机驱动电路中的功率级开关。
4. 负载开关和保护电路中的关键组件。
5. 电池管理系统(BMS)中的充放电控制开关。
此外，它还适用于各种工业自动化设备和家用电器的功率控制模块。
FV55X563K202EH,
FV55X563K202E,
IRF540N,
AO3400
