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FV55X472K302EGG 发布时间 时间:2025/6/5 20:06:55 查看 阅读:20

FV55X472K302EGG是一款高性能的功率MOSFET芯片,专为高效率开关应用设计。该器件采用先进的半导体制造工艺,具备低导通电阻、高开关速度和出色的热性能,适用于工业、消费电子及通信领域的多种场景。其封装形式和电气特性使其非常适合用于DC-DC转换器、电源适配器、电机驱动等需要高效能量转换的应用。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:55A
  导通电阻:1.8mΩ
  栅极电荷:95nC
  开关频率:高达1MHz
  工作温度范围:-55℃至150℃
  封装形式:TO-247

特性

FV55X472K302EGG具有以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可显著降低传导损耗,提升整体系统效率。
  2. 高速开关能力,适合高频应用环境。
  3. 出色的热稳定性,能够适应恶劣的工作条件。
  4. 内置保护功能,如过流保护和短路保护,增强可靠性。
  5. 符合RoHS标准,环保且安全。

应用

该芯片广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS)设计中的功率级管理。
  2. 工业自动化设备中的电机控制与驱动。
  3. 通信设备中的高效DC-DC转换模块。
  4. 汽车电子中的负载切换与电池管理。
  5. 大功率LED驱动器中的电流调节组件。

替代型号

FV55X472K302EFG, FV55X472K302EGH

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