FV55X472K302EGG是一款高性能的功率MOSFET芯片,专为高效率开关应用设计。该器件采用先进的半导体制造工艺,具备低导通电阻、高开关速度和出色的热性能,适用于工业、消费电子及通信领域的多种场景。其封装形式和电气特性使其非常适合用于DC-DC转换器、电源适配器、电机驱动等需要高效能量转换的应用。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:55A
导通电阻:1.8mΩ
栅极电荷:95nC
开关频率:高达1MHz
工作温度范围:-55℃至150℃
封装形式:TO-247
FV55X472K302EGG具有以下主要特性:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可显著降低传导损耗,提升整体系统效率。
2. 高速开关能力,适合高频应用环境。
3. 出色的热稳定性,能够适应恶劣的工作条件。
4. 内置保护功能,如过流保护和短路保护,增强可靠性。
5. 符合RoHS标准,环保且安全。
该芯片广泛应用于以下领域:
1. 开关模式电源(SMPS)设计中的功率级管理。
2. 工业自动化设备中的电机控制与驱动。
3. 通信设备中的高效DC-DC转换模块。
4. 汽车电子中的负载切换与电池管理。
5. 大功率LED驱动器中的电流调节组件。
FV55X472K302EFG, FV55X472K302EGH