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FV43X682K102ECG 发布时间 时间:2025/5/30 13:31:30 查看 阅读:9

FV43X682K102ECG是一款高性能的功率MOSFET芯片,采用先进的半导体制造工艺。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于多种电源管理应用,包括DC-DC转换器、开关电源、电机驱动等。其封装形式为TO-263(D2PAK),适合表面贴装技术,从而提高了散热性能和可靠性。

参数

类型:N沟道 MOSFET
  最大漏源电压(Vds):60V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):50A
  导通电阻(Rds(on)):1.0mΩ
  总功耗(Ptot):175W
  结温范围(Tj):-55℃ 至 +175℃
  封装形式:TO-263 (D2PAK)

特性

FV43X682K102ECG具备以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),能够有效降低传导损耗。
  2. 高速开关性能,优化了开关频率下的效率。
  3. 较高的雪崩能量能力,增强了器件在异常条件下的耐用性。
  4. 良好的热稳定性,支持更高的功率密度。
  5. 符合RoHS标准,环保设计。
  6. 支持表面贴装技术,简化了PCB设计和制造流程。
  7. 适用于工业级应用环境,能够在极端温度条件下稳定工作。

应用

该器件广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS),如适配器和充电器。
  2. DC-DC转换器,用于电压调节和电源管理。
  3. 电机驱动电路,特别是无刷直流电机控制。
  4. 工业自动化设备中的负载切换。
  5. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统。
  6. 汽车电子系统的电源管理和电机控制。
  7. 通信电源和不间断电源(UPS)系统。

替代型号

FV43X682K101ECG, IRFZ44N, FDP5500

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