FV43X682K102ECG是一款高性能的功率MOSFET芯片,采用先进的半导体制造工艺。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于多种电源管理应用,包括DC-DC转换器、开关电源、电机驱动等。其封装形式为TO-263(D2PAK),适合表面贴装技术,从而提高了散热性能和可靠性。
类型:N沟道 MOSFET
最大漏源电压(Vds):60V
最大栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):50A
导通电阻(Rds(on)):1.0mΩ
总功耗(Ptot):175W
结温范围(Tj):-55℃ 至 +175℃
封装形式:TO-263 (D2PAK)
FV43X682K102ECG具备以下主要特性:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),能够有效降低传导损耗。
2. 高速开关性能,优化了开关频率下的效率。
3. 较高的雪崩能量能力,增强了器件在异常条件下的耐用性。
4. 良好的热稳定性,支持更高的功率密度。
5. 符合RoHS标准,环保设计。
6. 支持表面贴装技术,简化了PCB设计和制造流程。
7. 适用于工业级应用环境,能够在极端温度条件下稳定工作。
该器件广泛应用于以下领域:
1. 开关模式电源(SMPS),如适配器和充电器。
2. DC-DC转换器,用于电压调节和电源管理。
3. 电机驱动电路,特别是无刷直流电机控制。
4. 工业自动化设备中的负载切换。
5. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统。
6. 汽车电子系统的电源管理和电机控制。
7. 通信电源和不间断电源(UPS)系统。
FV43X682K101ECG, IRFZ44N, FDP5500