时间：2025/5/22 21:48:03
阅读：1
FV42X221K302ECG是一款高性能的功率MOSFET芯片，专为高效率、低损耗的应用场景设计。该器件采用先进的半导体制造工艺，具有极低的导通电阻和快速的开关速度，适合用于各种电源管理应用，如DC-DC转换器、开关电源、电机驱动等。其封装形式为行业标准的表面贴装类型，便于自动化生产和散热管理。
型号：FV42X221K302ECG
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：42A
导通电阻(Rds(on))：2.2mΩ
总栅极电荷(Qg)：85nC
输入电容(Ciss)：3300pF
输出电容(Coss)：950pF
反向传输电容(Crss)：170pF
工作温度范围：-55℃至+175℃
封装形式：TO-263-3（D2PAK）
FV42X221K302ECG具备以下显著特性：
1. 极低的导通电阻，仅为2.2mΩ，有效降低传导损耗。
2. 快速开关性能，总栅极电荷仅85nC，可显著减少开关损耗。
3. 高额定电流能力，支持高达42A的连续漏极电流。
4. 宽泛的工作电压范围，能够承受高达60V的漏源电压。
5. 优秀的热性能表现，有助于提升系统的整体可靠性。
6. 封装紧凑且兼容性强，易于集成到现有设计中。
该芯片适用于多种应用场景，包括但不限于：
1. 开关模式电源(SMPS)中的高效功率转换。
2. DC-DC转换器的核心功率开关元件。
3. 电动工具、家用电器及工业设备中的电机驱动控制。
4. 负载切换与保护电路中的电子开关功能。
5. 新能源领域中的逆变器和转换器组件。
6. 汽车电子系统中的电池管理与负载均衡模块。
FV42X221K302ECJ, FV42X221K302ECK, IRF3205, AO4414
