时间：2025/6/3 23:34:14
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FV42N100J302ECG 是一款由 Fairchild（现为 ON Semiconductor）生产的 N 沟道 MOSFET。该器件采用先进的沟槽式工艺制造，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，适用于多种功率转换应用。其额定电压为 100V，最大持续漏极电流可达 42A，适合在高效率电源、电机驱动和 DC-DC 转换器中使用。
该型号的封装形式为 D2PAK（TO-263），具有良好的散热性能和机械稳定性。此外，FV42N100J302ECG 还具备出色的雪崩能力，能够承受一定的瞬态过压情况，增强了系统的可靠性。
额定电压：100V
最大持续漏极电流：42A
导通电阻（典型值）：2.5mΩ
栅极电荷（Qg）：78nC
输入电容（Ciss）：3390pF
总功耗：210W
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：D2PAK（TO-263）
FV42N100J302ECG 的主要特性包括：
1. 高效的沟槽式结构设计，使得其导通电阻非常低，从而降低传导损耗。
2. 较小的栅极电荷和输出电荷，有助于提高开关速度并减少开关损耗。
3. 具备增强型雪崩能量能力，提高了在异常条件下的鲁棒性。
4. 支持高频开关操作，非常适合于硬开关和软开关拓扑。
5. 符合 RoHS 标准，环保且满足现代工业要求。
6. 工作温度范围宽广，适应各种恶劣环境下的应用需求。
这款 MOSFET 主要用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关管或同步整流管。
2. DC-DC 转换器和 PFC（功率因数校正）电路。
3. 电动工具和家用电器中的电机驱动。
4. 新能源领域如太阳能逆变器和电动汽车充电系统。
5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
FV42N100J302ECG 凭借其优异的性能表现，成为许多高功率密度设计的理想选择。
FDP057AN, IRFB4110TRPBF, BUK7Y1R0-100E
