FV32X223K102EEG是一款高性能的功率MOSFET芯片,专为高效率、低损耗的开关应用而设计。该器件采用先进的制造工艺,具备极低的导通电阻和快速的开关特性,适用于多种电力电子场景。其封装形式和电气性能经过优化,能够在高电流和高频工作条件下提供稳定的表现。
该器件主要应用于电源管理、电机驱动、DC-DC转换器以及其他需要高效功率控制的场合。通过降低导通损耗和开关损耗,FV32X223K102EEG能够显著提升系统能效并减少发热问题。
型号:FV32X223K102EEG
类型:N沟道增强型MOSFET
Vds(漏源电压):60V
Rds(on)(导通电阻):1.5mΩ
Id(连续漏极电流):90A
Qg(栅极电荷):35nC
Eoss(输出电容能量):45nJ
Vgs(th)(阈值电压):2.5V
fSW(推荐工作频率):500kHz
封装:TO-263-3L
1. 极低的导通电阻Rds(on),仅为1.5mΩ,有效降低导通损耗。
2. 高电流承载能力,支持高达90A的连续漏极电流。
3. 快速开关特性,栅极电荷Qg仅为35nC,适合高频应用。
4. 耐用性和稳定性强,能够承受高达60V的漏源电压。
5. 采用TO-263-3L封装,具备良好的散热性能和紧凑的设计。
6. 低栅极电荷和优化的开关特性使其在高频应用中表现优异。
7. 阈值电压低至2.5V,易于驱动,适配各类控制器。
8. 输出电容能量Eoss较小,进一步降低了开关过程中的能量损失。
9. 可靠性高,适合工业级和汽车级应用环境。
1. 开关电源(SMPS)设计,包括AC-DC和DC-DC转换器。
2. 各类电机驱动电路,如无刷直流电机(BLDC)和步进电机。
3. 工业自动化设备中的负载切换和功率管理。
4. 电动车和混合动力车中的电池管理系统(BMS)。
5. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统的功率转换模块。
6. LED驱动器和高亮度照明系统的功率控制。
7. 数据中心和通信设备中的高效电源模块。
8. 其他需要高效功率开关的应用场景。
FV32X223K101EEG, FV32X223K103EEG, IRF3205, SI4463DY