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FV32X153K102EEG 发布时间 时间:2025/5/20 9:06:44 查看 阅读:5

FV32X153K102EEG 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,采用先进的制造工艺设计,适用于高效率、高频开关应用。该器件具有低导通电阻和快速开关特性,能够显著降低系统能耗并提高转换效率。
  它广泛应用于开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器、电机驱动以及各种需要高效功率管理的场景中。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  额定电压:60V
  额定电流:150A
  导通电阻:1.5mΩ
  栅极电荷:45nC
  最大工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
  封装形式:D2PAK-7 (TO-263-7)

特性

1. 极低的导通电阻 Rds(on),有效减少传导损耗,提升整体效率。
  2. 快速开关速度,支持高频工作条件下的低开关损耗。
  3. 高雪崩能量能力,确保在异常条件下仍能可靠运行。
  4. 具备出色的热性能,能够在高温环境下保持稳定工作。
  5. 内置 ESD 保护功能,增强器件的抗静电能力。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且无铅设计。
  7. 紧凑型封装设计,适合空间受限的应用场景。

应用

1. 开关模式电源(SMPS)中的主开关管。
  2. DC-DC 转换器中的同步整流管或功率开关。
  3. 电动工具、家用电器及工业设备中的电机驱动电路。
  4. 汽车电子系统中的负载开关与保护电路。
  5. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统中的功率转换模块。
  6. 各类高效能功率管理系统中的关键元件。

替代型号

FV32X153K102EGH, IRF3205, AO3400

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