时间：2025/6/19 4:23:26
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FV32N472J102EFG 是一款 N 沟道增强型场效应晶体管（MOSFET），适用于高频开关和功率转换应用。该器件采用先进的半导体工艺制造，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能。
这款 MOSFET 在电源管理、电机驱动、DC-DC 转换器以及负载开关等应用中表现优异，同时其封装设计优化了散热效果，便于在紧凑型设计中使用。
最大漏源电压：470V
连续漏极电流：3.2A
导通电阻：1.2Ω
栅极电荷：35nC
开关频率：高达 500kHz
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
封装类型：TO-220
FV32N472J102EFG 具有以下主要特性：
1. 高耐压能力，适合高压环境下的应用。
2. 极低的导通电阻，减少了导通损耗，提高了效率。
3. 快速开关速度，支持高频操作，减少开关损耗。
4. 优化的热阻设计，能够有效散发热量，提升可靠性。
5. 符合 RoHS 标准，环保且满足现代电子产品的合规要求。
6. 封装形式坚固耐用，适合表面贴装或插件安装，简化生产流程。
FV32N472J102EFG 的典型应用场景包括：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率开关。
2. 工业设备中的电机控制和驱动电路。
3. 电池保护电路及负载切换。
4. LED 照明驱动和汽车电子系统中的功率调节。
5. 家用电器和消费类电子产品中的高效功率管理模块。
该器件以其高效率和可靠性，成为多种功率转换场景的理想选择。
FV32N470J102EFG, IRF840, STW47N6LLH5
