时间：2025/5/24 20:02:56
阅读：22
FV31X471K202ECG 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，专为需要高效能和低导通电阻的应用而设计。该器件采用先进的制造工艺，确保在高电流和高频开关应用中表现出优异的性能。其主要应用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动以及各种工业电子设备。
这款功率MOSFET具有出色的热稳定性和耐用性，能够在极端条件下可靠运行。其封装形式通常为行业标准，便于集成到不同的电路设计中。
类型：N沟道增强型 MOSFET
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：80A
导通电阻(Rds(on))：1.5mΩ（典型值，Vgs=10V时）
栅极电荷(Qg)：90nC
开关速度：快速
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
FV31X471K202ECG 的主要特点是其超低的导通电阻，这使其非常适合用于需要高效率和低功耗的应用场景。此外，该器件还具备以下特点：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)) 提供了高效的功率传输，减少能量损耗。
2. 快速开关能力支持高频操作，适用于现代电子系统的高速需求。
3. 高电流承载能力确保即使在高负载情况下也能保持稳定的性能。
4. 优秀的热性能允许在紧凑的设计中使用，同时维持较低的工作温度。
5. 符合 RoHS 标准，环保且安全。
这些特性的结合使 FV31X471K202ECG 成为许多电力电子应用的理想选择。
该器件广泛应用于多种领域，包括但不限于以下方面：
1. 开关模式电源(SMPS)中的功率转换模块。
2. 工业自动化设备中的电机驱动电路。
3. 各种 DC-DC 转换器，如降压或升压转换器。
4. 新能源汽车中的电池管理系统(BMS)。
5. LED 照明驱动，提供高效且稳定的电流控制。
6. 太阳能逆变器中的功率级组件。
FV31X471K202ECG 凭借其强大的性能和可靠性，在以上应用场景中展现了卓越的价值。
FV31X471K202ECD
FV31X471K202ECE
FV31X471K202ECF
