时间：2025/5/20 21:25:18
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FV31N4R7C102PXG 是一款由 Fairchild（现为 ON Semiconductor）生产的 N 沟道 MOSFET。该器件属于 PowerTrench 系列，具有低导通电阻和快速开关特性，适合用于各种功率转换应用中。其封装形式为 SO-8（Small Outline），能够提供良好的热性能和电气性能。
这款 MOSFET 的设计目标是满足高效率、小尺寸和高性能的需求，广泛应用于消费电子、工业控制以及通信设备等领域。由于其出色的电气参数，特别适用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动器以及其他需要高效功率管理的场景。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：31A
导通电阻：4mΩ（典型值，Vgs=10V）
栅极电荷：50nC（典型值）
输入电容：1650pF（典型值）
总功耗：2.2W
工作结温范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：SO-8
FV31N4R7C102PXG 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻，可降低功率损耗并提高系统效率。
2. 快速开关能力，有助于减少开关损耗并改善动态性能。
3. 高电流承载能力，支持大功率应用需求。
4. 小型化封装，便于 PCB 布局优化。
5. 宽工作温度范围，适应多种环境条件。
6. 符合 RoHS 标准，环保且安全可靠。
这些特性使该器件非常适合于需要高效能和高可靠性的应用场景。
FV31N4R7C102PXG 广泛应用于以下领域：
1. 开关流和主开关。
2. DC-DC 转换器的核心功率级元件。
3. 负载开关和保护电路中的关键组件。
4. 电机驱动器的功率输出级。
5. 各类便携式设备中的电池管理模块。
6. 工业自动化设备中的功率控制单元。
其优异的性能使其成为许多功率敏感型应用的理想选择。
FDP050AN40L, IRFZ44N, AO4402A
