时间：2025/6/23 22:56:40
阅读：6
FV31N472J102EPG 是一款高性能的 N 沟道增强型 MOSFET 芯片，广泛应用于开关电源、电机驱动、负载开关等需要高效功率控制的场景。该芯片具有低导通电阻和高电流处理能力，同时具备快速开关特性以减少能量损耗。
这款器件采用先进的制造工艺，能够提供出色的电气性能和可靠性，适合工业级和消费级应用环境。
最大漏源电压：470V
连续漏极电流：3.6A
导通电阻：2.8Ω
栅极电荷：25nC
开关时间：典型值 50ns
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
FV31N472J102EPG 具有以下主要特点：
1. 高耐压设计，支持高达 470V 的漏源电压，适用于高压应用场景。
2. 低导通电阻 (2.8Ω)，在大电流条件下可以显著降低功耗。
3. 快速开关速度，有效减少开关损耗并提升系统效率。
4. 内置过温保护功能，确保设备在极端条件下仍然安全可靠运行。
5. 支持宽范围的工作温度 (-55°C 至 +150°C)，适应各种恶劣环境下的使用需求。
6. 符合 RoHS 标准，环保且无铅封装，满足现代电子产品的绿色要求。
该芯片适用的应用领域包括但不限于：
1. 开关电源中的功率转换模块。
2. 电机驱动器中用于控制电机的启动和停止。
3. 各类负载开关，例如 USB 端口保护电路。
4. 工业自动化设备中的信号隔离与功率放大。
5. LED 驱动器和其他需要精确电流控制的场合。
FV31N472J102EPT, FV31N472J102EPH
