FV31N220J102PXG是一款由富士电机(Fuji Electric)生产的高压MOSFET功率晶体管,主要用于工业和高功率应用中的开关电路。该器件采用TO-247封装形式,具有高击穿电压、低导通电阻以及快速开关性能等特性。这款MOSFET特别适用于需要高效功率转换的应用场景,如电源管理、变频器、不间断电源(UPS)、电机驱动和逆变器系统等。
最大漏源电压:2200V
连续漏极电流:31A
栅源电压(最大值):±20V
导通电阻:5.8Ω(典型值,在Vgs=±15V时)
总功耗:620W
工作温度范围:-55℃至+150℃
FV31N220J102PXG具备以下主要特性:
1. 高耐压能力:其额定漏源电压高达2200V,适合在高压环境下运行。
2. 低导通损耗:通过优化的芯片设计,导通电阻较低,从而减少了功率损耗。
3. 快速开关速度:能够实现高效的功率转换,降低开关损耗。
4. 增强的热稳定性:支持宽泛的工作温度范围,确保在极端环境下的可靠性。
5. 高电流承载能力:连续漏极电流可达31A,适用于高功率应用。
6. 可靠性高:经过严格的质量控制流程制造,能够在严苛条件下长时间稳定工作。
FV31N220J102PXG广泛应用于各种高功率电子设备中,具体包括但不限于:
1. 工业变频器:用于调节电机速度和转矩。
2. 不间断电源(UPS):提供稳定的电力输出,保护关键设备。
3. 太阳能逆变器:将太阳能电池板产生的直流电转换为交流电供家庭或电网使用。
4. 电机驱动器:用于精确控制电机的速度和方向。
5. 开关电源(SMPS):提高效率并减小体积与重量。
6. 其他需要高压大电流开关的场合。
FV31N220J102LXG