时间：2025/6/29 10:44:53
阅读：8
FV31N151J102ECG 是一款由富士电机（Fuji Electric）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 TO-264-3 封装形式，具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能，适合用于各种功率转换和控制应用。其主要应用于工业设备、电源适配器、电动工具以及汽车电子系统等领域。
该功率 MOSFET 的额定电压为 150V，能够在高频条件下提供高效的功率传递和转换，同时具备出色的稳定性和可靠性。
最大漏源电压：150V
连续漏极电流：31A
导通电阻：3.9mΩ
栅极电荷：120nC
总电容：2300pF
功耗：280W
工作温度范围：-55℃ 至 175℃
封装形式：TO-264-3
FV31N151J102ECG 具有以下显著特点：
1. 超低导通电阻（Rds(on)），可有效降低传导损耗，提高整体效率。
2. 高速开关性能，能够支持高频操作，减少磁性元件体积。
3. 栅极驱动要求低，简化了驱动电路设计。
4. 出色的热稳定性，能够在极端温度范围内正常运行。
5. 紧凑的封装形式，节省 PCB 布局空间。
6. 符合 RoHS 标准，环保且适用于多种行业规范的要求。
这款 MOSFET 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
2. 电动工具和家用电器的电机驱动。
3. 工业自动化设备中的功率调节和控制。
4. 新能源汽车中的电池管理系统 (BMS) 和车载充电器。
5. 太阳能逆变器和其他可再生能源相关产品。
6. 各种需要高效功率转换的场合。
FV31N150M102ECG, IRFZ44N, FDP16N15
