时间：2025/6/29 10:43:54
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FV31N101J102PXG 是一款 N 沟道增强型场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于开关电源、电机驱动、负载切换等电路中。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特性，能够有效降低功率损耗并提升系统效率。
该型号的 MOSFET 适合于需要高效能和低功耗的应用场景，同时具备出色的热性能和电气稳定性。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：31A
导通电阻：4.5mΩ
栅极电荷：85nC
总电容：360pF
工作温度范围：-55℃ to 150℃
FV31N101J102PXG 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻，有助于减少传导损耗。
2. 高速开关能力，可以显著降低开关损耗。
3. 具备强大的雪崩能量承受能力，提高了器件在异常条件下的可靠性。
4. 良好的热稳定性和抗静电能力（ESD）。
5. 小型化的封装设计，节省PCB空间。
6. 符合 RoHS 标准，环保且安全。
这款 MOSFET 常用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流和主开关。
2. DC-DC 转换器及降压/升压电路。
3. 电机驱动电路中的功率级控制。
4. 工业自动化设备中的负载切换。
5. 电池管理系统（BMS）中的保护电路。
6. 电动汽车和其他新能源相关应用中的功率管理模块。
FV30N100J102PXF, IRFZ44N, STP36NF10L
