时间：2025/6/24 16:56:56
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FV21N470J102ECG 是一款由 Fairchild（现为 ON Semiconductor）生产的 N 沯道 MOSFET。该器件具有高击穿电压、低导通电阻和快速开关特性，适用于各种功率转换应用，如 DC-DC 转换器、电机驱动、开关电源等。它采用 TO-263 封装形式，适合表面贴装技术（SMT），能够提供高效的功率管理和出色的热性能。
该型号的命名规则中包含了一些关键信息：FV 表示 Fairchild 的功率 MOSFET 系列，21N 表示其额定电流和类型（N 沯道），470 表示其额定电压为 470V，后续字符则表示封装形式和其他特定参数。
最大漏源电压：470V
连续漏极电流：10A
栅极-源极电压：±20V
导通电阻（Rds(on)）：1.4Ω（典型值，Vgs=10V）
功耗：15W
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
封装形式：TO-263
1. 高击穿电压：470V 的漏源电压使其非常适合高压应用环境。
2. 低导通电阻：在 Vgs=10V 下，Rds(on) 仅为 1.4Ω，有助于减少导通损耗并提高效率。
3. 快速开关速度：该器件具备快速开关特性，能有效降低开关损耗，适用于高频开关应用。
4. 优秀的热稳定性：通过优化的封装设计，器件能够在高温环境下稳定运行，延长使用寿命。
5. 符合 RoHS 标准：环保材料确保了其符合全球环保法规要求。
6. 表面贴装兼容性：TO-263 封装支持自动化装配工艺，简化了生产流程。
1. 开关电源（SMPS）：用于 AC-DC 和 DC-DC 转换器中的功率开关。
2. 电机驱动：在工业控制和家用电器中作为电机控制的核心元件。
3. 逆变器：应用于太阳能逆变器和不间断电源（UPS）系统。
4. LED 驱动器：为大功率 LED 提供高效稳定的电流控制。
5. 其他功率管理应用：如电池充电器、电子负载等需要高性能功率开关的场合。
FQP19N45C, IRFZ44N, STP10NK50Z
