FV21N270J102ECG是一款高性能的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)器件,由富士电机(Fuji Electric)生产。该型号属于超结MOSFET系列,适用于高电压和高效率的开关应用场合。其主要特点是低导通电阻、快速开关性能以及出色的热稳定性。
这款MOSFET广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、逆变器以及其他需要高效功率管理的电子设备中。
最大漏源电压:270V
连续漏极电流:21A
导通电阻:65mΩ(典型值,@ Vgs=10V)
栅极电荷:48nC(典型值)
输入电容:3020pF(典型值)
工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
封装形式:TO-247-3
FV21N270J102ECG采用了富士电机的先进超结技术,实现了在高压下的低导通损耗。
1. 具有较低的导通电阻,从而减少传导损耗并提高系统效率。
2. 快速开关性能降低了开关损耗,适合高频应用。
3. 内置反向二极管设计增强了对感性负载的应用支持。
4. 高雪崩击穿能力确保了器件在异常条件下的可靠性。
5. 符合RoHS标准,环保且安全。
此外,该器件还具备良好的热特性和电气稳定性,能够在极端环境条件下保持稳定的性能。
FV21N270J102ECG适用于多种高电压、大电流的应用场景:
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
2. DC-DC转换器中的功率开关元件。
3. 电机驱动与控制电路中的功率级开关。
4. 工业逆变器及不间断电源(UPS)系统中的关键功率器件。
5. 太阳能逆变器和其他可再生能源相关的功率转换设备。
6. 电动汽车充电桩等高效率电力转换领域。
FV21N270J102EFG, FV21N270J102ECG-W, IRFP460, STP21N27K5