类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：200V
　　栅源电压（VGS）：±30V
　　连续漏极电流（ID）：16A
　　脉冲漏极电流（IDM）：64A
　　导通电阻（RDS(on)）：0.22Ω（最大）
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：TO-220

FUO2216N具备多项优异特性，使其在各种功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）确保了在高电流工作条件下的低功率损耗，提高了整体系统的效率。其次，该器件的高漏源电压（VDS）额定值为200V，使其适用于多种中高压应用，如开关电源（SMPS）和DC-DC转换器。
　　FUO2216N还具有良好的热稳定性和抗过载能力，能够在高温环境下稳定工作。其TO-220封装设计提供了良好的散热性能，有助于降低器件温度并提高长期可靠性。此外，该MOSFET具有快速开关能力，能够减少开关损耗，适用于高频开关电路。
　　在可靠性方面，FUO2216N采用了富士电机成熟的制造工艺和封装技术，确保其在恶劣环境下的稳定运行。该器件还具有较高的抗静电能力和过压保护能力，适用于对稳定性要求较高的工业设备和消费电子产品。

FUO2216N广泛应用于多种功率电子系统，包括但不限于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器、电池管理系统、LED驱动器以及各种工业自动化和控制设备。由于其高耐压和高电流能力，该器件特别适合用于需要高效能和高可靠性的电源管理应用。例如，在开关电源中，FUO2216N可用于主开关元件，提供高效的能量转换；在电机驱动系统中，它可用于控制电机的转速和方向；在LED照明系统中，该器件可用于恒流驱动和调光控制。
　　此外，FUO2216N还可用于电池充电器、UPS（不间断电源）系统、太阳能逆变器和电动工具等应用。其优异的导通特性和热管理能力使其在高温环境下仍能保持稳定的性能，满足现代电子设备对效率和可靠性的高要求。

IRF220, STP220N3LL, FQA20N20C, FDPF220N20