FU9024N 时间：2025/6/3 8:59:45 阅读：7

FU9024N是一种N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等应用领域。该器件具有较低的导通电阻和较高的开关速度，能够有效降低功率损耗并提高系统效率。

参数

型号：FU9024N
　　类型：N沟道MOSFET
　　Vds（漏源极电压）：40V
　　Rds(on)（导通电阻）：55mΩ
　　Id（连续漏极电流）：18A
　　Vgs（栅源极电压）：±20V
　　f（工作频率）：1MHz
　　封装形式：TO-220
　　工作温度范围：-55℃至+150℃

特性

FU9024N采用了先进的制造工艺，使其具备出色的电气性能。
　　1. 具有低导通电阻（Rds(on)），在高电流应用中可以减少功耗和发热。
　　2. 高速开关能力，适合高频电路设计。
　　3. 提供了良好的静电防护（ESD）性能，确保在严苛环境下的可靠性。
　　4. 封装为标准TO-220，便于安装和散热管理。
　　5. 较宽的工作温度范围，适应多种工业应用场景。
　　6. 栅极阈值电压稳定，易于与逻辑电平驱动电路配合使用。

应用

FU9024N主要应用于需要高效能功率切换的场景，例如：
　　1. 开关电源中的主开关管或同步整流管。
　　2. DC-DC转换器中的高端或低端开关。
　　3. 各种电机驱动电路，如步进电机、无刷直流电机等。
　　4. 负载开关和保护电路，用于过流、短路保护。
　　5. 电池管理系统中的充放电控制开关。
　　6. 工业自动化设备中的功率控制模块。