FU24N15D 时间：2025/12/26 20:45:04 阅读：16

FU24N15D是一款由富士电机（Fuji Electric）生产的N沟道功率MOSFET晶体管，广泛应用于高效率开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及其他需要高电流和高压处理能力的电力电子系统中。该器件采用先进的平面硅技术制造，具备优良的导通电阻与栅极电荷平衡特性，能够在高频工作条件下实现较低的导通损耗和开关损耗，从而提高整体系统的能效。其额定电压为150V，最大连续漏极电流可达24A，适合中等功率级别的应用需求。封装形式通常为TO-247，这种大功率封装具有良好的热传导性能，能够有效将芯片内部产生的热量传递至散热器，保证器件在高负载条件下的稳定运行。此外，FU24N15D内置了快速恢复体二极管，进一步增强了其在感性负载开关过程中的可靠性，防止反向电压对器件造成损害。

参数

型号：FU24N15D
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：150V
　　连续漏极电流（Id）：24A
　　脉冲漏极电流（Idm）：96A
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值45mΩ（@ Vgs=10V）
　　阈值电压（Vgs(th)）：2.0V ~ 4.0V
　　输入电容（Ciss）：典型值3300pF（@ Vds=25V）
　　输出电容（Coss）：典型值580pF（@ Vds=25V）
　　反向恢复时间（trr）：典型值45ns
　　最大功耗（Pd）：200W
　　工作结温范围（Tj）：-55℃ ~ +150℃
　　封装：TO-247

特性

FU24N15D具备出色的电气性能和热稳定性，其核心优势在于低导通电阻与高电流承载能力的结合。该器件在Vgs=10V的工作条件下，Rds(on)典型值仅为45mΩ，这意味着在传输大电流时所产生的I2R损耗显著降低，有助于提升电源系统的整体效率并减少散热设计的复杂度。同时，由于采用了优化的元胞结构和场板设计，该MOSFET在高频开关应用中表现出优异的开关速度和可控性，输入电容和反馈电容均处于合理水平，使得驱动电路的设计更加简便且响应迅速。
　　器件的体二极管具有快速恢复特性，反向恢复时间trr典型值为45ns，这在桥式电路或电机驱动中尤为重要，可有效抑制因二极管反向恢复引起的电压尖峰和电磁干扰（EMI），提高系统可靠性。此外，FU24N15D具备良好的雪崩能量耐受能力，在异常工作条件下如过压或瞬态冲击时仍能保持一定的鲁棒性，避免立即失效。
　　TO-247封装不仅提供了优异的热传导路径，还具备较高的机械强度和绝缘性能，适用于工业级严苛环境。该封装的引脚布局也便于安装在标准散热片上，实现高效散热管理。器件符合RoHS环保要求，适用于现代绿色电子产品设计。总体而言，FU24N15D是一款高性能、高可靠性的功率MOSFET，特别适合用于通信电源、UPS、电动工具控制器、太阳能逆变器等中高端功率转换场合。

应用

FU24N15D主要应用于各类中高功率开关电源系统，包括AC-DC和DC-DC转换器，尤其适用于工作电压在100V至150V范围内的离线式电源设计。在不间断电源（UPS）和逆变器设备中，该器件可用于半桥或全桥拓扑结构中的主开关元件，承担能量转换与调节任务。其高电流输出能力使其在直流电机驱动、电动工具和电动车控制器中表现出色，能够驱动大功率负载并维持长时间稳定运行。此外，在工业自动化控制系统中，如PLC输出模块或固态继电器，FU24N15D也可作为功率输出级使用。其快速开关特性和内置快恢复二极管同样适用于感应加热、焊接设备以及高频谐振变换器等需要高效能功率开关的应用场景。由于其良好的温度稳定性和抗扰能力，该器件也被广泛用于户外或高温环境中运行的电力电子装置。