型号：FU224
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：500V
　　连续漏极电流（Id）：7A（Tc=25°C）
　　脉冲漏极电流（Idm）：28A
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　导通电阻（Rds(on)）：0.55Ω（最大值，@ Vgs=10V, Id=3.5A）
　　阈值电压（Vth）：3~5V
　　输入电容（Ciss）：1100pF（@ Vds=25V）
　　输出电容（Coss）：350pF
　　反向恢复时间（trr）：典型值 45ns
　　功耗（Pd）：50W（Tc=25°C）
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220 / TO-263

FU224具有出色的动态和静态电气特性，使其在高频开关应用中表现出色。其低导通电阻Rds(on)显著降低了导通损耗，提高了整体系统效率，尤其是在大电流负载条件下优势更为明显。器件的高击穿电压（500V）确保了在高压环境下的安全运行，适用于离线式开关电源设计，如AC-DC适配器、LED驱动电源和工业电源模块。此外，FU224具备良好的雪崩能量耐受能力，能够在瞬态过压条件下提供一定程度的自我保护，增强了系统的鲁棒性。
　　该MOSFET采用了优化的栅极结构设计，有效降低了栅极电荷（Qg）和米勒电容（Crss），从而减少了开关过程中的驱动损耗和延迟时间，提升了开关速度。这对于减少电磁干扰（EMI）和提高电源频率至关重要。同时，较低的输入和输出电容也使得驱动电路设计更加简单，可配合通用的PWM控制器使用而无需复杂的缓冲网络。
　　热性能方面，FU224通过高效的封装散热路径将热量快速传导至外部散热器，保证长时间工作下的温度稳定性。其最大功耗可达50W（在壳温25°C时），结温范围宽达-55°C至+150°C，适应各种严苛的工作环境。此外，器件符合RoHS环保标准，不含铅和其他有害物质，适用于现代绿色电子产品设计。内置的体二极管具有较快的反向恢复特性，有助于改善同步整流或感性负载切换时的表现，降低反向恢复引起的尖峰电压风险。

FU224常用于各类中等功率的开关电源系统中，包括但不限于：通用AC-DC适配器、台式电脑和家电的辅助电源（standby power supply）、LED照明驱动电路、DC-DC升压/降压转换器、逆变器和UPS不间断电源设备。在工业领域，它也被广泛应用于电机控制电路、电磁阀驱动、电焊机电源模块以及太阳能微逆变器等需要高效能功率开关的场景。由于其具备较高的电压额定值和足够的电流承载能力，特别适合用于反激式（Flyback）和正激式（Forward）拓扑结构的电源设计。此外，在消费类电子产品如电视、显示器电源板中，FU224作为主开关管能够提供稳定可靠的性能表现。其坚固的结构和良好的热管理能力也使其适用于环境温度变化较大的户外或工业现场设备。随着对能源效率要求的不断提高，FU224凭借其优异的导通和开关特性，在节能型电源解决方案中持续发挥重要作用。

2SK2542, 2SC4466, STP7NK50ZFP, FQP50N50