类型：齐纳二极管
　　封装形式：SOD-323（表面贴装）
　　标称齐纳电压：4.3V
　　测试电流（IZT）：5mA
　　最大齐纳阻抗（Zz）：通常小于100Ω（在5mA条件下）
　　最大耗散功率：200mW（部分规格可能为300mW，取决于环境温度与PCB布局）
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　存储温度范围：-65℃ ~ +150℃
　　反向漏电流（IR）：≤1μA（在额定电压以下）
　　精度等级：±5%（典型值）

FTZ4.3E齐纳二极管的核心特性在于其精确且稳定的电压钳位能力。在反向偏置条件下，当外加电压达到其标称齐纳电压4.3V时，器件进入击穿区，此时即使流经二极管的电流发生显著变化，其两端电压仍能维持在一个非常接近4.3V的水平，从而为后续电路提供可靠的电压基准。这种稳定性能得益于内部PN结的掺杂工艺优化，确保了温度系数的良好控制，尤其在4.3V这一电压点附近，器件表现出较低的动态阻抗和较平坦的温度漂移曲线，有利于提升整个系统的精度与可靠性。
　　该器件采用SOD-323小型表面贴装封装，外形紧凑，适合高密度PCB布局，特别适用于智能手机、可穿戴设备、物联网模块等对空间要求严格的场合。其200mW的功率耗散能力足以应对大多数低功耗应用场景中的瞬态过压保护需求。此外，FTZ4.3E具备优良的热稳定性和长期工作稳定性，能够在宽温范围（-55℃至+150℃）内持续运行而不发生性能退化，适应恶劣的工作环境。
　　相较于传统的插件式稳压二极管，FTZ4.3E支持自动化贴片生产，提高了组装效率并降低了制造成本。其快速响应时间也使其可用于抑制高频噪声和瞬时浪涌电压，例如ESD（静电放电）事件。通过合理设计限流电阻，可以有效防止因过流导致的热损坏，进一步增强系统鲁棒性。作为一款国产化的高性能稳压器件，FTZ4.3E在兼容国际主流品牌的同时，提供了更具竞争力的价格和本地化技术支持，是现代电子设计中实现电压箝制、基准源构建和电路保护的理想选择之一。

FTZ4.3E广泛应用于各类需要稳定电压参考或过压保护的电子电路中。常见用途包括电源电压监控电路中的基准源、ADC/DAC转换器的参考电压生成、信号电平转换电路中的限幅保护，以及微控制器I/O端口的ESD防护。在电池供电设备中，它可用于检测充电状态或防止欠压/过压情况的发生。此外，在传感器信号调理模块中，该器件可用来稳定偏置电压，提高测量精度。由于其封装小巧且功耗低，特别适合用于便携式医疗设备、智能家居终端、无线通信模块和工业传感节点等对尺寸和能效有严格要求的产品中。在电源管理领域，FTZ4.3E常被用作LDO稳压器的反馈网络组成部分，以实现精确输出电压调节。同时，也可作为TVS二极管的辅助保护元件，协同吸收瞬态能量，提升整体系统的电磁兼容性（EMC）表现。

MMBZ4.3ALT1G
　　PMEZ4.3B-AU
　　SZMZ4.3-T