时间：2025/9/24 14:09:04
阅读：23
FTR-B3SA012Z是一款由富士通（Fujitsu）生产的高灵敏度、低功耗的磁阻式传感器（MR Sensor），主要用于检测磁场变化，广泛应用于工业自动化、汽车电子以及消费类电子产品中的位置检测与速度测量场景。该器件基于各向异性磁阻效应（AMR, Anisotropic Magnetoresistance）原理设计，能够精确感知外部磁场的方向和强度变化，并将其转换为相应的电信号输出。FTR-B3SA012Z采用小型化表面贴装封装形式，具备良好的温度稳定性和抗机械应力能力，适合在复杂环境条件下长期稳定工作。该传感器通常用于非接触式位置传感，例如旋转编码器、齿轮齿传感器、电机转子位置检测等应用中。其数字开关输出方式使得系统集成更加简便，同时内部集成了信号调理电路和磁滞控制功能，提升了整体响应精度和抗干扰能力。该型号的工作电压范围较宽，支持在1.8V至5.5V之间稳定运行，适用于多种电源环境下的嵌入式系统设计。此外，该器件符合RoHS环保标准，无铅且绿色环保，适用于现代电子产品的制造要求。
型号：FTR-B3SA012Z
传感器类型：各向异性磁阻传感器（AMR）
供电电压：1.8 V 至 5.5 V
工作电流：典型值 4 mA
输出类型：开漏数字输出（Open-Drain）
磁感应强度阈值：BOP ≈ 3 mT（典型值）
释放点磁感应强度：BRP ≈ -3 mT（典型值）
磁滞宽度：BHYS ≈ 6 mT
工作温度范围：-40°C 至 +125°C
封装形式：SOT-23（三引脚小型表面贴装）
响应频率：最高可达 1 MHz
灵敏度方向：平行于芯片表面（X轴方向）
ESD耐压：±4 kV（HBM模型）
湿度敏感等级（MSL）：3级（车间寿命168小时）
FTR-B3SA012Z具备优异的磁感应灵敏度和快速响应能力，能够在极低的磁场强度下实现可靠的动作触发，适用于高精度的位置和速度检测应用。其核心采用AMR技术，相较于霍尔效应传感器具有更高的灵敏度和更优的方向分辨能力，尤其适合检测微弱或远距离磁场的变化。该传感器内置了先进的信号调理电路，包括放大器、比较器和施密特触发器，确保输出信号干净稳定，有效抑制噪声干扰，提升系统可靠性。
器件的磁滞特性经过精密设计，提供了约6mT的磁滞宽度，避免在临界点附近发生输出抖动，保证了在振动或波动磁场环境下的稳定工作。其开漏输出结构允许用户灵活配置上拉电阻至任意兼容电压，便于与不同逻辑电平的微控制器或接口电路连接，增强了系统的兼容性。
FTR-B3SA012Z采用微型SOT-23封装，体积小巧，节省PCB空间，特别适用于对尺寸有严格要求的应用场景。该封装还具备良好的热稳定性和机械强度，能承受回流焊工艺，并在高温高湿环境下保持性能一致性。此外，器件在整个工作温度范围内（-40°C至+125°C）均能维持稳定的电气参数，无需额外校准，降低了系统设计复杂度。
低功耗是该传感器的另一大优势，典型工作电流仅为4mA，在电池供电设备中可显著延长续航时间。结合宽电压工作范围，使其可广泛适配于多种供电系统，从低电压便携设备到工业级控制系统均可适用。同时，产品通过了严格的可靠性测试，符合AEC-Q100等车规级标准，可用于汽车电子中的关键传感节点。
FTR-B3SA012Z常用于需要高精度、非接触式磁场检测的各种场合。在汽车电子领域，它被广泛应用于轮速传感器、变速箱齿轮检测、节气门位置检测以及电动助力转向系统（EPS）中的角度感应模块，能够实时监测旋转部件的运动状态，提供精准反馈信号以支持控制系统决策。
在工业自动化方面，该传感器适用于电机换向控制、伺服编码器、流量计中的叶轮转速检测以及安全联锁装置中的位置确认。由于其对磁场方向敏感，也可用于判断物体的移动方向，实现双向计数功能。
在消费类电子产品中，FTR-B3SA012Z可用于智能门锁的状态检测、笔记本电脑盖开合检测、无人机桨叶保护装置以及家电中的旋转按钮或旋钮位置识别。此外，在医疗设备中，如输液泵、呼吸机等需要精确控制机械运动的仪器中，该传感器也能发挥重要作用，确保设备运行的安全性和准确性。
得益于其高抗干扰能力和稳定性，该器件还可部署于存在电磁噪声的环境中，如变频器附近或高压设备周边，依然能保持可靠的信号输出。其非接触式检测方式也减少了机械磨损，提高了系统寿命和维护便利性。
FTR-B3SA006Z
FTR-B3SA012Y
MLX92242LDC-BAA-000RE
DRV5023AQLPGZR
