时间：2025/7/4 6:37:33
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FTD2017A是一款高性能的N沟道功率MOSFET，采用先进的半导体制造工艺设计，具有极低的导通电阻和快速开关特性。该器件主要应用于需要高效能、低功耗的场合，例如DC-DC转换器、负载开关、电机驱动以及电池管理系统等。FTD2017A通过优化的结构设计实现了更低的损耗和更高的系统效率，同时具备出色的热性能。
最大漏源电压：306A
导通电阻（典型值）：2.5mΩ
栅极电荷：38nC
总电容（输入电容）：1390pF
工作温度范围：-55℃至175℃
封装形式：TO-263-3
FTD2017A以其卓越的电气性能而闻名，主要特点包括：
1. 极低的导通电阻，有效降低导通损耗。
2. 快速开关速度，减少开关损耗并提高工作效率。
3. 高温工作能力，适应各种恶劣环境下的应用需求。
4. 低栅极电荷设计，能够与高速驱动电路完美匹配。
5. 强大的散热能力，支持高功率密度的设计要求。
6. 符合RoHS标准，环保无铅材料。
FTD2017A广泛应用于以下领域：
1. 开关电源适配器中的同步整流。
2. DC-DC转换器中的主开关管或同步整流管。
3. 负载开关，用于保护电路免受过流或短路的影响。
4. 电机驱动器中的功率级控制。
5. 电池管理系统的充放电路径控制。
6. 工业自动化设备中的功率转换模块。
IRF7745, FDP5500
