时间：2025/6/16 20:12:40
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FTD150N10N是一款N沟道功率MOSFET（场效应晶体管），属于Fairchild（现为ON Semiconductor）推出的FDx系列器件。该芯片设计用于高效率的开关应用，具备低导通电阻和快速开关速度的特点。其典型应用场景包括DC-DC转换器、开关电源（SMPS）、电机驱动以及负载开关等。通过优化的制造工艺，FTD150N10N能够在高频条件下提供出色的性能表现。
该MOSFET采用TO-220封装形式，适合散热要求较高的功率应用场合。同时，其内置的雪崩能量处理能力使其在过载或异常工作条件下的可靠性得到了提升。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：150A
导通电阻（Rds(on)）：3.5mΩ（典型值，Vgs=10V时）
栅极电荷：48nC（典型值）
总功耗：290W
工作结温范围：-55°C至+175°C
热阻（结到壳）：0.36°C/W
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于降低传导损耗，提高整体系统效率。
2. 高额定电流能力，能够支持大功率应用。
3. 快速开关速度，减少开关损耗并适用于高频电路。
4. 优秀的雪崩耐量性能，增强了器件在异常情况下的耐用性。
5. TO-220封装形式提供了良好的散热性能。
6. 宽温度范围操作能力，确保在极端环境下的稳定性。
7. 符合RoHS标准，满足环保要求。
1. 开关模式电源（SMPS）中的主开关元件。
2. DC-DC转换器中作为同步整流器或主开关使用。
3. 电机驱动电路中的功率级控制。
4. 工业自动化设备中的负载开关。
5. 电池管理系统（BMS）中的保护开关。
6. 大功率LED驱动器中的电流调节元件。
7. 各种需要高效率、高可靠性的功率转换和控制场景。
IRF840, STP150N10, FDP150N10
