时间:2025/12/29 14:39:32
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FTD05N50D 是一款由富鼎(Fairchild)推出的N沟道增强型功率MOSFET,广泛用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制以及各种功率电子设备中。该器件采用TO-252(DPAK)封装,具备高耐压、低导通电阻和优良的热稳定性,适合中高功率应用场景。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(VDS):500V
栅源电压(VGS):±20V
连续漏极电流(ID):5A(@Tc=100℃)
脉冲漏极电流(IDM):20A
导通电阻(RDS(on)):≤2.5Ω(@VGS=10V)
功耗(PD):50W
工作温度范围:-55℃ ~ 150℃
封装:TO-252(DPAK)
FTD05N50D 具备多项优良特性,使其在功率MOSFET中具有较高的市场认可度。
首先,其高耐压能力(500V VDS)使其适用于多种高压应用,如电源适配器、照明镇流器以及AC-DC转换电路。
其次,该MOSFET的导通电阻较低,在VGS=10V时RDS(on)不超过2.5Ω,有助于降低导通损耗,提高电源转换效率。
此外,FTD05N50D 采用TO-252封装,具备良好的热传导性能,能够有效散热,提高器件在高功率下的稳定性与可靠性。
该器件还具有较高的开关速度,适合用于高频开关应用,从而减小外围电感和电容的尺寸,提高整体系统的功率密度。
FTD05N50D 还具备较强的抗雪崩能力和过载能力,增强了在复杂工况下的耐用性。
其栅极设计支持标准逻辑电平驱动,兼容多种驱动IC和控制器,便于系统集成。
FTD05N50D 适用于多种功率电子设备,包括但不限于:
开关电源(SMPS)中的主开关或同步整流器件;
AC-DC和DC-DC转换器,特别是在中等功率范围的应用;
LED照明驱动电源,用于实现高效率的恒流输出;
电机驱动电路,如风扇、泵或小型电机控制;
工业自动化设备中的功率开关模块;
UPS不间断电源系统中的DC-AC逆变部分;
电池管理系统(BMS)中的充放电控制开关;
智能电表和其他智能电网设备中的电源管理单元。
FTD05N50C, FQA5N50C, FQP5N50C, IRF840, STF5NM50N