型号：FTA14N50C
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：500V
　　最大漏极电流（Id）：14A @ 25°C
　　最大脉冲漏极电流（Idm）：56A
　　最大功耗（Ptot）：150W
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值0.38Ω @ Vgs=10V
　　阈值电压（Vgs(th)）：2.0V ~ 4.0V
　　栅极电荷（Qg）：57nC @ Vgs=10V
　　输入电容（Ciss）：1100pF @ Vds=25V
　　输出电容（Coss）：190pF @ Vds=25V
　　反向恢复时间（trr）：52ns
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220F

FTA14N50C采用了安森美的高压MOSFET制造工艺，具备优异的开关性能和导通特性。其低导通电阻（Rds(on)）有效降低了在导通状态下的功率损耗，提高了电源系统的整体能效。该器件的Rds(on)典型值仅为0.38Ω，在500V耐压等级的MOSFET中属于较为优秀的水平，特别适合用于中等功率的SMPS（开关模式电源）设计。此外，该MOSFET具有较高的电流处理能力，在25°C环境温度下可承载14A的连续漏极电流，短时脉冲电流更可达56A，能够满足瞬态负载变化的需求。
　　该器件的栅极电荷（Qg）为57nC，这一数值在同类产品中处于合理范围，意味着驱动电路所需的驱动功率较低，有利于简化驱动设计并减少驱动芯片的负担。同时，其输入电容（Ciss）为1100pF，输出电容（Coss）为190pF，较小的电容值有助于加快开关速度，降低开关过程中的能量损耗，从而提升高频工作的稳定性与效率。对于高频DC-DC变换器或PFC电路而言，这些参数至关重要。
　　FTA14N50C具备良好的热性能，采用TO-220F封装，具有较低的热阻（Rth(j-c)约为0.83°C/W），能够有效将结温热量传导至散热器，确保长时间高负载运行下的可靠性。其工作结温范围可达-55°C至+150°C，适应严苛的工业环境。此外，该器件还具备较强的抗雪崩能力和dv/dt耐受能力，能够在异常工作条件下保持稳定，减少因电压突变导致的失效风险。内置的体二极管具有较快的反向恢复时间（trr=52ns），有助于减少在感性负载切换时的反向恢复损耗，进一步优化系统效率。

FTA14N50C广泛应用于各类中高功率开关电源系统中，尤其适用于需要500V耐压等级的离线式电源设计。常见应用包括通用AC-DC适配器、台式电脑电源、LED照明驱动电源以及工业用开关电源模块。在PFC（功率因数校正）升压电路中，该MOSFET可作为主开关器件，利用其高耐压和低导通电阻特性实现高效能量转换。此外，它也适用于太阳能微逆变器、UPS不间断电源和小型电机驱动控制系统中，作为主功率开关元件。
　　在DC-DC转换器中，特别是隔离型反激或正激拓扑结构中，FTA14N50C可用于初级侧开关，实现高效的电压变换与能量传输。其快速的开关响应能力和较低的栅极驱动需求使其兼容多种PWM控制器，便于系统集成。在家电领域，如空调、洗衣机和电磁炉的电源模块中，该器件也能胜任高压侧开关任务。由于其封装为TO-220F，具备绝缘特性，可以直接安装在金属散热片上而无需额外的绝缘垫片，提升了装配便利性和散热效率。
　　在工业控制和自动化设备中，FTA14N50C可用于驱动继电器、电磁阀或加热元件的功率开关电路。其高可靠性和宽工作温度范围使其适用于恶劣环境下的长期运行。此外，在电池充电系统和电动工具电源中，该MOSFET也可作为主控开关，提供稳定的电流控制和过载保护能力。总体而言，FTA14N50C凭借其均衡的电气参数和稳健的封装设计，成为众多中等功率电力电子应用中的理想选择。

STP14NK50ZFP, FQP14N50C, K14N50, IRFBC40