FTA04N80A 时间：2025/12/26 20:21:45 阅读：10

FTA04N80A是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）生产的高压MOSFET功率晶体管，专为高效率开关电源应用设计。该器件采用先进的平面条纹式硅栅极工艺制造，具备优良的开关特性和导通电阻性能，适用于多种中高功率DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、离线式开关电源（SMPS）以及其他需要高压功率开关的场合。FTA04N80A的额定电压为800V，连续漏极电流可达4A（在25°C条件下），具有较高的功率处理能力。其封装形式通常为TO-220或TO-220F，具备良好的热稳定性和机械可靠性，适合工业级环境使用。由于其优化的雪崩能量能力和抗瞬态过压特性，FTA04N80A在面对电源浪涌和负载突变时表现出较强的鲁棒性，是许多电源系统中的关键组件。此外，该器件符合RoHS环保标准，并通过了相关可靠性测试，广泛应用于消费电子、工业控制和照明电源等领域。

参数

型号：FTA04N80A
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）：800V
　　连续漏极电流（Id @ 25°C）：4A
　　脉冲漏极电流（Idm）：16A
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值2.2Ω（最大值2.8Ω）@ Vgs=10V
　　阈值电压（Vgs(th)）：3~5V @ Id=250μA
　　输入电容（Ciss）：约950pF @ Vds=25V, f=1MHz
　　输出电容（Coss）：约170pF @ Vds=25V, f=1MHz
　　反向恢复时间（trr）：约65ns
　　最大功耗（Pd）：125W @ Tc=25°C
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220/TO-220F

特性

FTA04N80A具备优异的高压耐受能力，其800V的漏源击穿电压使其能够稳定工作于高输入电压环境下，特别适用于全球通用输入电压范围（85~265V AC）的开关电源设计。该器件采用先进的平面硅栅技术，在保证高耐压的同时实现了较低的导通电阻，有效降低了导通损耗，提高了整体能效。
　　在动态性能方面，FTA04N80A具有适中的输入和输出电容，使得其在高频开关应用中表现出良好的开关速度与驱动兼容性。配合适当的栅极驱动电路，可实现快速的上升和下降时间，减少开关过渡期间的能量损耗。同时，其反向恢复时间较短，有助于降低二次侧整流二极管的应力，提升系统的EMI表现。
　　该MOSFET还具备出色的热稳定性与长期可靠性。TO-220封装提供了良好的散热路径，允许器件在较高环境温度下持续运行。内部结构经过优化，具备一定的抗雪崩能力，能够在异常工况如电压尖峰或负载突变时保护自身不被损坏，从而增强整个电源系统的稳健性。
　　此外，FTA04N80A的设计充分考虑了生产一致性与成本效益，适合大规模自动化装配。其电气参数分布集中，批次稳定性好，便于工程师进行标准化设计和批量生产管控。综合来看，FTA04N80A是一款兼顾性能、可靠性和经济性的中功率高压MOSFET，广泛用于各类离线式电源拓扑中。

应用

FTA04N80A主要应用于各类中等功率的开关模式电源系统中，尤其适合反激式（Flyback）、正激式（Forward）等隔离型拓扑结构。常见用途包括但不限于：液晶电视、显示器、笔记本电脑适配器、LED驱动电源、家用电器内置电源模块以及工业控制设备中的AC-DC转换器。
　　在消费类电子产品中，该器件常作为主开关管使用，负责将整流后的高压直流电进行高频斩波，通过变压器实现电压变换与电气隔离。其高耐压特性确保了在输入电压波动或雷击浪涌情况下仍能安全运行，提升了终端产品的安全性与寿命。
　　在工业领域，FTA04N80A可用于PLC电源模块、小型UPS不间断电源、电机驱动辅助电源等对可靠性要求较高的场景。其宽泛的工作温度范围和稳定的电气特性使其能在恶劣环境中保持正常工作。
　　此外，该器件也适用于一些非隔离式升压或降压变换器，在特定高压输入条件下替代传统BJT或IGBT方案，以获得更高的转换效率和更简单的驱动方式。随着节能法规日益严格，FTA04N80A凭借其低损耗特性成为满足能效标准（如Energy Star、DoE Level VI）的理想选择之一。