FT0407MD 是一款由国内厂商设计制造的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)器件,主要用于功率开关应用。该器件采用了先进的沟槽式MOS技术,具有低导通电阻、高效率和优良的热性能。FT0407MD适用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及各类需要高效能功率控制的电子系统中。该器件通常采用TO-252(DPAK)或类似的表面贴装封装,便于散热和安装。
类型:N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds):30V
最大栅源电压(Vgs):±20V
最大连续漏极电流(Id):10A(在25℃环境温度下)
导通电阻(Rds(on)):≤30mΩ(在Vgs=10V时)
最大功耗(Pd):30W(具体视封装而定)
工作温度范围:-55℃ ~ +150℃
封装形式:TO-252(DPAK)
FT0407MD 的主要特性之一是其极低的导通电阻(Rds(on)),这使得在高电流工作条件下,器件的功率损耗大幅降低,从而提高了系统的整体效率。此外,该器件采用了先进的沟槽式工艺,增强了电流处理能力并优化了导通性能。
该MOSFET具有良好的热稳定性和高可靠性,能够在较宽的工作温度范围内稳定运行。其高栅极绝缘性能(支持高达±20V的栅源电压)确保了在不同驱动条件下的安全操作。
封装方面,FT0407MD 通常采用 TO-252(也称为 DPAK)封装,这种封装形式不仅适合表面贴装工艺,而且具有良好的散热性能,能够有效将热量传导到 PCB 上,适用于中高功率应用场景。
该器件还具备快速开关特性,减少了开关过程中的能量损耗,非常适合用于高频开关电源、同步整流和电机控制等应用。
FT0407MD 主要应用于各种功率电子设备中,如DC-DC降压/升压转换器、AC-DC电源适配器、电池管理系统、负载开关控制、电机驱动电路、LED照明驱动电源以及工业自动化控制系统等。
在电源管理领域,该器件可以作为主开关或同步整流开关使用,显著提升转换效率并减少发热。在电池供电设备中,它可用于高效的能量传输控制,延长电池使用时间。此外,该器件也常用于电机驱动电路中,作为H桥结构中的功率开关元件,实现对电机的正反转和速度调节控制。
由于其优异的热性能和高电流能力,FT0407MD 也适合用于紧凑型高功率密度电源设计中,如小型电源模块、便携式充电设备和高效率LED驱动电源。
Si4410BDY, IRF3205, AO4407A, FDS4410, NTD4859NT4G