FT0404BH 时间：2025/9/14 1:55:06 阅读：15

FT0404BH 是一款由国产厂商生产的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要设计用于高效率、高频率的电源管理应用。这款MOSFET采用了先进的沟槽式工艺，具备较低的导通电阻（Rds(on)）和优秀的开关性能，适合用于DC-DC转换器、负载开关、电源管理模块以及电池供电设备等场景。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：4A
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：28mΩ @ VGS = 10V
　　功率耗散（PD）：1.4W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装形式：SOP-8

特性

FT0404BH 的核心优势在于其低导通电阻和高速开关特性，这使得该器件在电源转换应用中能够显著降低导通损耗，提高整体能效。
　　采用SOP-8封装，具备良好的散热性能和空间利用率，适用于紧凑型设计。
　　其栅极驱动电压范围较宽，支持常见的3.3V、5V和10V驱动电路，增强了设计灵活性。
　　此外，FT0404BH 在高温环境下仍能保持稳定工作，具备良好的热稳定性与可靠性，适用于工业级和消费类电子设备。
　　该器件还具备较高的雪崩能量耐受能力，能在异常工作条件下提供额外的保护。

应用

FT0404BH 主要应用于以下领域：
　　1. 同步整流DC-DC转换器和降压/升压变换器，用于提高转换效率并减小电路体积；
　　2. 负载开关电路，用于控制电源的通断，实现节能管理；
　　3. 电池管理系统（BMS）中的充放电控制开关；
　　4. 高频开关电源（SMPS）和适配器设计；
　　5. 电机驱动和H桥电路中的功率开关；
　　6. 消费类电子产品如智能手机、平板电脑、笔记本电脑等的电源管理单元。