时间：2025/5/9 9:42:21
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FSU01N60A 是一款 N 沣道通态硅功率 MOSFET，适用于高电压开关应用。该器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能，非常适合用于开关电源、电机控制和逆变器等应用领域。
这款 MOSFET 的额定耐压为 600V，能够承受较高的漏源电压，同时其极低的导通电阻有助于减少传导损耗，提高系统的整体效率。
最大漏源电压：600V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：1.04A
导通电阻（典型值）：5.8Ω
栅极电荷（典型值）：7nC
反向恢复时间：39ns
工作结温范围：-55℃ 至 +150℃
1. 高耐压能力，适合高压环境下的开关应用。
2. 极低的导通电阻，有助于降低功耗并提升系统效率。
3. 快速开关特性，可有效减少开关损耗。
4. 出色的热稳定性和可靠性，能够在高温环境下长时间运行。
5. 小封装尺寸，便于在空间受限的应用中使用。
6. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC 转换器
3. 电机驱动与控制
4. 逆变器
5. PFC（功率因数校正）电路
6. 各种工业和消费类电子设备中的高压开关应用
FQU11N60,
STP1NR60,
IRF640
