时间：2025/5/8 20:03:22
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FSTD16211MTDX 是一款由 Fairchild（现为 ON Semiconductor）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 DPAK 封装形式，适用于多种开关和功率转换应用。它具有低导通电阻、高开关速度以及出色的热性能等优点，广泛应用于电源管理、电机驱动和负载切换等领域。
FSTD16211MTDX 的设计注重高效能表现和稳定性，能够在高频条件下提供优异的性能，同时支持较高的持续电流能力。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：48A
导通电阻：1.6mΩ
栅极电荷：39nC
总电容：580pF
工作结温范围：-55℃ 至 175℃
封装类型：DPAK (TO-263)
FSTD16211MTDX 具备以下主要特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少传导损耗并提高效率。
2. 高电流处理能力，能够满足大功率应用场景的需求。
3. 快速开关速度，适合高频操作环境。
4. 稳定的工作温度范围，使其可以在极端环境下正常运行。
5. 出色的热性能，确保长时间稳定运行。
6. 符合 RoHS 标准，环保且易于集成到现代电子系统中。
该 MOSFET 广泛用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流和主开关功能。
2. DC/DC 转换器，如降压或升压电路。
3. 电机控制与驱动电路。
4. 电池保护及负载切换。
5. 工业自动化设备中的功率管理模块。
6. 汽车电子系统中的各种功率转换应用。
FDP17N06L, IRFZ44N, BUK7Y1R0-60E
