时间：2025/5/7 16:47:32
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FST16211MEA是一款N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-252(DPAK)封装。该器件主要用于需要高效率、低导通电阻的应用场景。其主要特点是低导通电阻和快速开关特性，非常适合于DC-DC转换器、负载开关、电机驱动、电源管理等应用领域。
此功率MOSFET通过优化的制造工艺实现了较低的导通电阻和良好的热性能，使其能够在高温环境下稳定运行，并且具有较高的电流承载能力。
最大漏源电压(Vds)：40V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：8.7A
导通电阻(Rds(on))：19mΩ
栅极电荷(Qg)：13nC
总功耗(Ptot)：1.4W
工作结温范围(Tj)：-55℃ to +150℃
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少传导损耗并提高整体效率。
2. 快速开关特性，可降低开关损耗。
3. 高雪崩能量能力，提供更高的系统可靠性。
4. 具备优异的热性能，能够适应更宽的工作温度范围。
5. 符合RoHS标准，绿色环保。
6. 封装形式为TO-252(DPAK)，便于PCB布局和焊接。
7. 低栅极电荷设计，可以有效提升高频下的工作效率。
1. 开关电源(SMPS)中的功率开关元件。
2. DC-DC转换器中的同步整流管或主开关管。
3. 电池管理系统(BMS)中的保护开关。
4. 汽车电子设备中的负载开关和电机驱动。
5. 各类工业控制系统的功率级组件。
6. 通信设备中的电源管理和信号调节电路。
FDP16211, IRF7413, SI4476DY
