时间：2025/9/14 13:27:34
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FST10120 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高功率开关应用。该器件设计用于在高电压和高电流条件下工作，具有低导通电阻、高可靠性和快速开关性能。FST10120 通常采用 TO-220 或 D2PAK 封装，适用于电源管理、DC-DC 转换器、电机控制和负载开关等应用。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
漏源电压（VDS）：100V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：18A（在25°C）
脉冲漏极电流（IDM）：72A
导通电阻（RDS(on)）：0.075Ω（最大值）
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-220 / D2PAK
FST10120 的主要特性之一是其低导通电阻（RDS(on)），这有助于减少导通状态下的功率损耗，提高整体系统效率。
该器件具有较高的电流承载能力，能够在高负载条件下稳定运行，适用于需要高功率密度的设计。
由于其快速开关特性，FST10120 可以有效地用于高频开关电路，减少开关损耗并提高响应速度。
该 MOSFET 还具有良好的热稳定性，能够在高温环境下运行，增强了其在工业和汽车应用中的可靠性。
此外，FST10120 的封装设计有利于散热，有助于在高功率应用中保持较低的结温，延长器件寿命。
FST10120 广泛应用于多种功率电子系统中，包括但不限于以下领域：
在电源管理系统中，如 AC-DC 和 DC-DC 转换器中，FST10120 作为主开关器件，负责高效地转换和调节电压。
在电机控制和驱动电路中，该 MOSFET 可用于 PWM 控制，实现电机速度和转矩的精确调节。
在负载开关或电源开关应用中，FST10120 能够实现快速通断控制，保护电路免受过载或短路影响。
它也适用于电池管理系统（BMS），用于充放电控制和电池均衡。
此外，在汽车电子系统中，如车身控制模块、电动助力转向系统和车载充电器中，FST10120 也具备良好的应用表现。
IRF1010E, FQP10N10L, STP18NF10
