FSS273-TL-E 时间：2025/12/28 10:12:16 阅读：23

FSS273-TL-E是一款由onsemi（安森美）生产的表面贴装肖特基势垒二极管，采用SOD-123FL封装。该器件专为高效率、小尺寸电源应用设计，适用于需要低正向压降和快速开关特性的电路环境。作为一款高性能的肖特基二极管，FSS273-TL-E在便携式电子设备、DC-DC转换器、电源整流和极性保护等应用场景中表现出色。其小型化封装有助于节省PCB空间，适合高密度组装需求。该器件符合RoHS环保标准，并具备无卤素（Halogen-free）特性，满足现代电子产品对环保和可靠性的严格要求。FSS273-TL-E通过优化内部结构和材料选择，在保证高可靠性的同时实现了优异的热性能和电气性能。此外，该型号支持自动贴片工艺，便于大规模生产中的自动化装配。由于其出色的反向击穿电压与正向电流能力的平衡，FSS273-TL-E广泛应用于消费类电子、工业控制、通信设备以及汽车电子等领域。

参数

类型：肖特基势垒二极管
　　封装/包装：SOD-123FL
　　是否无铅：是
　　是否符合RoHS：是
　　最大重复反向电压（VRRM）：30V
　　最大直流反向电压（VR）：30V
　　平均整流电流（IO）：500mA
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：8A
　　最大正向电压（VF）：550mV @ 300mA
　　最大反向漏电流（IR）：0.5μA @ 25°C
　　工作结温范围（TJ）：-55°C ~ +150°C
　　热阻抗（RθJA）：350°C/W
　　安装类型：表面贴装（SMD）

特性

FSS273-TL-E的核心优势在于其低正向导通压降和快速恢复特性，这使其在高频开关电源中能够显著降低功耗并提升系统整体效率。该器件采用了先进的肖特基势垒技术，利用金属-半导体结实现单向导电功能，相较于传统的PN结二极管，具有更低的开启电压和更短的反向恢复时间。在典型工作条件下，其正向压降仅为550mV，当通过300mA电流时，相比普通硅二极管可减少约30%的能量损耗。这种低损耗特性特别适用于电池供电设备，有助于延长续航时间。同时，由于没有少数载流子存储效应，肖特基二极管不存在反向恢复电荷问题，因此在DC-DC转换器等高频应用中能有效抑制电压尖峰和电磁干扰（EMI），提高系统稳定性。
　　FSS273-TL-E的SOD-123FL封装是一种超小型薄型表面贴装封装，外形尺寸约为2.0mm x 1.3mm x 1.1mm，非常适合空间受限的应用场景。该封装具有良好的热传导性能，结合合理的PCB布局设计，可在有限的空间内实现有效的散热管理。器件的额定工作结温高达+150°C，表明其具备较强的耐热能力，能够在高温环境下稳定运行。此外，-55°C至+150°C的工作温度范围使其不仅适用于常规商业环境，也能用于部分工业或汽车级应用场合。
　　该器件还具备出色的可靠性，在长期使用过程中保持稳定的电气性能。其反向漏电流在常温下仅为0.5μA，即使在高温条件下也保持较低水平，有助于减少待机功耗。对于需要长时间连续运行的设备而言，这一点尤为重要。FSS273-TL-E经过严格的制造工艺控制和质量检测，确保每一批产品都具有一致的性能表现。其8A的峰值浪涌电流能力意味着它能够承受瞬时过电流冲击，如电源启动时的浪涌电流，从而增强系统的鲁棒性。综合来看，FSS273-TL-E是一款兼顾高性能、小型化和高可靠性的肖特基二极管，适合多种现代电子系统的设计需求。

应用

FSS273-TL-E广泛应用于各类中小功率电源管理系统中。在便携式电子产品如智能手机、平板电脑、可穿戴设备中，常用于电池充放电回路中的防反接保护和电源路径管理，凭借其低正向压降特性有效减少能量损失。在DC-DC升压或降压转换器中，该器件可作为续流二极管或输出整流元件，因其快速响应能力和低功耗特点而提升转换效率。此外，在USB供电接口、LDO稳压器输出端以及各种适配器电路中，FSS273-TL-E可用于防止电流倒灌，保障主控芯片安全。
　　在工业控制系统中，该二极管可用于传感器供电隔离、信号调理电路中的钳位保护以及继电器驱动电路中的反电动势吸收。由于其具备一定的浪涌承受能力，也可用于低功率电源输入端的瞬态防护。在通信设备中，例如路由器、交换机等网络模块中，FSS273-TL-E可用于多电源轨之间的隔离与优先级选择，实现无缝电源切换功能。
　　在汽车电子领域，虽然该器件不属于AEC-Q101认证的车规级产品，但仍可用于部分非关键性车载应用，如车载信息娱乐系统的辅助电源、车内照明控制电路等。其小型封装有利于在紧凑的车载PCB布局中节省空间。此外，该器件还可用于消费类充电器、无线充电发射/接收模块、智能家居设备和物联网终端等新兴应用领域，满足对高效、小型、低成本电源元件的需求。