类型：N沟道MOSFET
　　极性：增强型
　　最大漏源电压（VDS）：50V
　　最大连续漏极电流（ID）：200mA
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：400mA
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：1.0V 至 2.0V
　　漏源导通电阻（RDS(on)）：6.5Ω（典型值，VGS=10V）
　　输入电容（Ciss）：12pF（典型值，VDS=25V）
　　输出电容（Coss）：6pF（典型值，VDS=25V）
　　反向传输电容（Crss）：1pF（典型值，VDS=25V）
　　开启延迟时间（td(on)）：5ns
　　关断延迟时间（td(off)）：15ns
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOT-23（SC-59）

FSS138-TL-E具备出色的开关性能和低静态功耗，是高频开关应用的理想选择。其低栅极阈值电压（通常在1.0V至2.0V之间）使得该器件能够与3.3V或更低的逻辑电平直接兼容，无需额外的电平转换电路，从而简化了系统设计并降低了整体成本。该MOSFET的漏源导通电阻典型值仅为6.5Ω，在低电流负载条件下可有效减少功率损耗，提高系统能效。
　　器件采用先进的沟槽技术制造，提升了载流子迁移率和通道导电性，同时优化了热性能和可靠性。其小型SOT-23封装不仅节省PCB空间，还便于自动化贴片生产，适用于高密度组装的便携式设备如智能手机、平板电脑、可穿戴设备和物联网终端。此外，FSS138-TL-E具有良好的抗静电能力（HBM ESD rating），增强了在实际操作和焊接过程中的鲁棒性。
　　该器件在关断状态下具有极低的漏电流（通常小于1μA），确保在待机或休眠模式下几乎不消耗额外电能，特别适用于电池供电系统以延长续航时间。其快速的开关响应时间（开启延迟约5ns，关断延迟约15ns）使其可用于高频信号切换和脉宽调制（PWM）控制应用。FSS138-TL-E还具备良好的热稳定性，在结温范围内参数漂移小，保证了在不同环境温度下的可靠运行。综合来看，这款MOSFET在性能、尺寸和可靠性方面达到了良好平衡，满足现代电子系统对微型化和高效能的双重需求。

FSS138-TL-E广泛应用于各类低功率开关和信号控制电路中。常见用途包括移动设备中的LED背光驱动和闪光灯控制，作为负载开关用于电源管理模块中实现各子系统的上电/断电控制。它也常用于微控制器与外围设备之间的电平转换和驱动接口，例如连接GPIO引脚以控制传感器、继电器或指示灯。在便携式消费电子产品中，该器件被用于电池保护电路、USB电源开关以及充电管理系统的通断控制。
　　此外，FSS138-TL-E适用于模拟开关、音频信号路由和小信号放大电路，在通信模块和无线传感器网络中发挥重要作用。由于其快速响应特性和低寄生电容，也可用于高频脉冲信号的选通和门控应用。在工业控制领域，该MOSFET可用于PLC输入输出模块中的信号隔离与驱动。其高可靠性和宽工作温度范围使其能够在恶劣环境下稳定运行。总之，凡是在需要小型化、低功耗、高效率开关功能的场合，FSS138-TL-E都是一种经济且高效的解决方案。

2N7002,EUP138,DMG138UW-7,SI2302DS,MMBF138